InGaP/GaAs HBT单管6GHz 大功率低噪声压控振荡器

A 6 GHz voltage controlled oscillator （VCO） optimized for power and noise performance was designed and characterized. This VCO was designed with the negative-resistance （Neg-R） method, utilizing an InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor in the negative-resistance block. A proper output matching network and a high Q stripe line resonator were used to enhance output power and depress phase noise. Measured central frequency of the VCO was 6.008 GHz. The tuning range was more than 200 MHz. At the central frequency, an output power of 9.8 dBm and phase noise of-122.33 dBc/Hz at 1 MHz offset were achieved, the calculated RF to DC efficiency was about 14%, and the figure of merit was -179.2 dBc/Hz.     

用于高效硅太阳电池的原子层沉积Al2O3表面钝化特性研究

系统研究了采用热-原子层沉积技术生长的Al2O3对p型晶体硅的表面钝化特性.Al2O3膜层的钝化质量通过采用微波光电导衰减的方法证明Al2O3介质层可提供优异的表面钝化效果.此外,通过采用C-V技术和椭圆偏振光谱测试技术对Al2O3介质层的表征证明,除了薄膜层中的负固定电荷,Al2O3介质层的H的含量在钝化效果中起着关键作用.     

栅槽横向宽度对InAlAs/InGaAs HEMTsDC及RF特性的影响

我们制造出了栅长为88 nm的InP基InAlAs/InGaAs 高电子迁移率器件(HEMTs),该器件的频率特性为ft = 100 GHz, fmax = 185 GHz。本文对横向栅槽宽度分别为300 nm, 412 nm, 1070 nm的器件进行了实验。借助能带图的方式,定性分析了横向栅宽的增加会因为表面态和碰撞电离的作用,使得器件直流特性表现出kink效应,并得到减小横向栅槽宽度能减弱kink效应的结论,文中还讨论了横向栅槽宽度通过改变器件寄生电容及其源漏电阻,从而对频率特性产生影响。这些分析对制造出更高性能的HEMT器件有比较重要的意义。     

ft =203GHz的超高速InP/InGaAs双异质结晶体管

为了适应数字及模拟电路带宽的不断增加,我们在传统的台面结构基础上利用BCB钝化平坦化工艺技术,设计并研制了InP/InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。我们研制的晶体管ft达到203GHz,是目前国内InP基DHBT的最高水平,发射极尺寸为1.0μm×20μm,电流增益β为166,击穿电压为4.34V,我们的器件采用了40nm高掺杂InGaAs基区,以及203nm含有InGaAsP复合式结构的集电区。该器件非常适合高速中功耗方面的应用。     

应变多量子阱激光器的结构稳定性

通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫,讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力,是应变多量子阱稳定的重要判据。因此,用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明,净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关,非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力。在此基础上,利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫。     

（英）W波段InP HBT 宽带高功率压控振荡器

本文介绍了一款具有较高输出功率和宽调谐频率范围的基波压控振荡器单片集成电路。其制作工艺为f_T =170GHz,f_max =250GHz的0.8um InP DHBT工艺。电路核心部分采用了平衡式考毕兹振荡器拓扑,并在后面添加了一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率。DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐。芯片测量结果表明,VCO的频率调谐范围为81- 97.3GHz,相对带宽为18.3 %。在调谐频率范围内最大输出功率为10.5 dBm,输出功率起伏在3.5 dB以内。在该VCO的最大调谐频率97.3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz @1MHz。在目前所报道的InP HBT基VCO MMIC中,本文在如此宽的频率调谐范围内实现了最高的输出功率。     

耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究

介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程,利用分子束外延生长技术（MBE）在高掺杂的InP衬底上生长n n+型的一致性掺杂外延结构,在外延结构正面利用电子束蒸发Ge/Au/Ni/Au作为器件阴极和电镀金制备作为散热层,背面通过化学湿法腐蚀形成台面（MESA）。在不同的温度下进行了退火对比实验,研究了阴极合金形成良好欧姆接触的温度条件。结果表明:退火温度为450 ℃时形成的金属电极的接触效果最好。关于耿氏管的正面反面制备工艺简便易行,利用Ge/Au/Ni/Au制备金属电极得到了良好的欧姆接触性能,用氯基溶液进行了湿法腐蚀实验得到了较好的垂直台面（MESA）。该制备方法有望实现优良性能的耿氏器件。     

基于人工神经网络的教学质量评估体系研究

把人工神经网络理论应用于教学质量评估,本文提出了三层神经网络的评价方法,通过对已知样本的学习以及对神经网络的构建,使网络更可以具有专家经验和知识,同时也减少在评价过程中人为因素的影响,弥补了教学质量评价过程中的不足,提高了模式分类的准确性和高效性,较好地保证评价结果的客观性,为教学质量评估体系的研究提供了较有效的方法。     

碳基纳米技术

回顾展望了基于π-共轭分子体系的碳基纳米技术的三个重要研究领域:有机半导体体系、石墨烯和碳纳米管,并重点评述了相关的基础科学和技术研究进展.近年来,该领域取得了令人瞩目的发展和成果,对相关材料的结构、性质和性能等基本认识越来越深入,基于碳基纳米技术的器件正在逐渐融入到主流电子产品,在推动微纳电子学科的发展中起到越来越重要的作用.