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钢中加入微量Re ,首先可细化奥氏体晶粒 ,细化显微组织 ;其次 ,有净化、变质作用 ,减少有害气体杂质 ,改善钢的组织性能[1] 。文献[2 ,3 ] 对贝氏体铁素体精细结构进行了仔细的观察 ,但多数涉及它的形貌和表面浮凸。关于贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系 ,早期Smith和Mehl[4] 提出 :钢中上贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系符合N W关系 ,即 (111) γ ∥ (0 11) α,[110 ]γ∥[10 0 α]。在下贝氏体中则有K S关系 ,即 (111) γ ∥(110 ) α,[110 ]γ∥ [111]α。本文研究了有无稀土元素贝氏体钢的强度和韧性以及通过TEM和HR… 相似文献
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Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线. 相似文献
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中国联通惠州分公司GSM无线移动通信基站均实行无人值守 ,所有告警信号如传输误码、BTS中断、环境监控信息等均通过2Mbit/s线传回交换局。其中基站环境监控有市电停电、过欠压、电池电压低、机房高温、烟感和门禁等 ,基站电源采用深圳华为高频开关电源 ,整流模块是单相供电 ,过欠压保护值为170~270V(新的整流模块为150~300V) ,但这是指电压有效值 ,当电压接近临界值时 ,尖峰瞬间波动 ,过欠压保护就会频繁动作。另外 ,由于无线基站实行无人值守 ,一些郊区偏远的基站通信设备如空调室外机、室外电力线等易成为不… 相似文献
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不同阳极结构二维PSD的电流—位置输出特性 总被引:7,自引:1,他引:7
本文介绍了四边形电极结构,四边形电极改进结构和带电阻边框的方框形电极结构3种二维位敏器件(PSD)的结构和工作原理,导出了3种结构PSD的输出电流理论表达式和位置线性度网络图。结果表明:四边形电极结构PSD的位置偏差最大,中央60%光敏区域内最大位置误差约10.0%,与实验结果相符;四边形电极改进结构PSD在中央60%光敏区域内最大位置误差约5.0%;带电阻边框的方框形电极结构,当边框电阻很小时,位置信号与输出电流之间满足线性关系,实验测得中央79%光敏区域内的均方根位置误差小于0.3%。 相似文献
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张增照 《电子产品可靠性与环境试验》2007,25(4):6-10
利用系统性能可靠性仿真,对汽车电压调节器的设计及性能进行分析,找出了对其性能可靠性影响最大的元器件,以及对环境温度敏感的元器件;通过提高元器件精度和改善半导体器件的温度特性,对初始设计进行了改进,提高了汽车电压调节器在使用中的性能可靠性. 相似文献
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用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm). 相似文献
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