对发展我国二氯二氢硅制备与生产的意见

一、意义和目的最主要的半导体材料—硅单晶是所有硅器件的基础材料。制备硅材料(包括硅单晶锭,硅外延片以及其它含硅的薄膜材料)的起始原料是硅石(SiO_2),硅石在电弧炉中被碳还原为粗硅。后者提练成纯硅要经过一系列过程转化为中间化合物。最常用的是SiCl_4,SiH_4,SiHCl_3等。它们经提纯后再还原(或分解)为硅锭,外延硅或含硅薄膜材料。而SiH_2Cl_2是具有许多优点的新一代中间化合物,其主要意义有三方面:     

控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

本文介绍了溶解氧(DO)以及总有机碳(TOC)对超大规模集成电路(ULSI)用水的污染,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据.研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较,本文设计了用脱氧膜接触器,降低高纯水中的溶解氧.结合用双级反渗透(RO)及电脱盐(EDI) 再加上185nm紫外光照射高纯水,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至0.6μg/L和0.7μg/L,并用键能理论解释了185nm紫外降低TOC的机理.     

四种阻垢剂与Mg2+之间的配位化学作用研究

本文采用酸碱电位滴定分析方法，运用先进的数据处理程序-BEST程序，通过建立恰当的配位化学模式，研究了水溶液中四种阻垢剂：氨基三甲叉磷酸(ATMP)、2-磷基-1，4-丁三酸(PBTCA)、聚丙烯酸(PAA，MW=2000)、马丙共聚物(PMAAA，MW=3000)自身的解离以及与Mg^2 离子间的配位化学作用，得到相应的配合物稳定常数，作出各种配合物在不同pH值下形态分布图，并对阻垢机理的解释提供一定的理论基础。     

用于高纯水制备中外压式毛细管超过滤器

本文介绍了外压式毛细管超过滤器的结构、性能，并与内压式毛细管超过滤器进行了对比。外压式毛细管超过滤器完全可以除去７０　以上的胶体、二氧化硅、细菌和内毒素，是适应ＶＬＳＩ需要的最佳终端设备。     

强碱型阴离子交换树脂再生的研究

本文研究了用NaOH溶液处理强碱型阴离子交换树脂的再生度,得出了再生条件(NaOH溶液浓度、用量、流速等)和再生度、树脂破碎率的关系。认为以5—8%、体积用量为树脂的2—4倍的NaOH溶液,流速维持在0.07—0.12升/升·分,再生后不用自来水冲洗,则阴离子交换树脂的再生度大于70%,破碎率小于1%;此法结合阳离子处理方法,可制得电阻率大于16MΩ-cm(25℃)的水。     

多并联、大通量水过滤器的自动反洗新方法

 本文涉及水处理过程所用的过滤器成组反洗自动控制技术.设定自动反洗四个条件:浓水量、分流水量、源水的污染指数和多并联过滤器的台数.通过控制器进行在线检测,及时获得上述数据.通过控制器内预先设定的软件数学模型进行处理,获得过滤器堵塞状况,发出反洗控制信号,开启反洗阀门,用浓水进行反洗.结束反洗后,控制器自动切换回到运行状态.本方法克服了传统方法(定时反洗 压差反洗和定容反洗)的弊端,提供的检测手段简单、直观,不需要压力表,切换准确, 且"反洗"切换次数减少,确保中间产品水水质指标稳定,延长设备寿命,节水、节电、系统运行稳定可靠.市售单片机等组成控制器,能自主灵活实现其软件数学模型.适用于水处理过程中多并联、大通量的过滤器自动反洗.     

紫外(185nm)降解水中二苯甲酮影响因素的研究

该文研究了浓度、流速、pH值以及Cl^-、NO3^-、CO3^2三种阴离子对医药中间体二苯甲酮降解效果的影响。用185nm紫外灯为光源,高效液相色谱仪（HPLC）为分析手段分析溶液中的二苯甲酮的浓度。试验结果证明二苯甲酮浓度增大、pH值增大,去除率降低;流速增大,去除率升高;三种阴离子对二苯甲酮的去除率都有降低作用。尤其是NO3^-对二苯甲酮去除率的影响最为明显。     

用两种不同的紫外光照射高纯水和废水降低总有机碳的比较

本文研究了用185nm UV和254nm UV照射方法降低高纯水中的TOC和废水中五种有机物的TOC,用185nm UV能有效地将高纯水中的TOC降低到(≤0.3μg/L),满足超大规模集成电路用水的需要.同时研究了用两种不同的紫外线185nmUV和 254nmUV,对比照射降低水中难生物降解的有毒、有害的五种有机污染物(二苯甲酮、孔雀石绿、对氯苯酚(4-CP)、对硝基苯酚(4-NP)和罗丹明B(Rh B)的TOC,结果表明185nmUV,比254nmUV,降低有机物的TOC好得多.有利于环境保护.     

研究光刻废水中二苯甲酮的处理方法及降解过程

研究185nmUV对二苯甲酮浓度的降低和TOC(Total Organic Carbon)的去除方法. 用185nm紫外及254nm紫外对光刻废水中二苯甲酮处理效果的对比.同时还研究了废水中二苯甲酮的降解过程及中间产物.