半导体工业废水、废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物和重金属的综合治理

本文介绍了在半导体工业废水、废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物、重金属及各种酸的综合治理方法、工艺流程和设备,用中和絮凝沉降一体化装置,利用共生沉淀的原理处理废水.用椭圆型喷淋吸收塔,氧化剂、碱吸收治理半导体工业废气中砷、磷、硫、氟、氯、氮氧化物及各种酸.经环保部门检测均达到国家排放标准.     

用EDI去除高纯水中痕量氨的新方法

本文研究了用电脱盐(Electrodeionization) EDI,去除高纯水中痕量氨(NH₃和NH₄⁺)的新方法.研究高纯水中弱离子化杂质氨的去除及其机理;研究了电流、进水电导率、进水流量和pH等对EDI去除水中氨(NH₃和NH₄⁺)的影响,进水氨浓度为208mg/L,经过一级EDI的处理,产品水中的总氨含量为0.072mg/L,对离子态铵也有很好去除效果,对进水中NH₄Cl浓度为20mg/L~100mg/L,产品水中铵浓度＜0.026mg/L.结果说明这方法是目前处理高纯水中痕量氨最好结果,远远低于太空用水＜0.5mg/L的要求.还研究了水中氨在EDI中被去除时的物种形态.     

EDI对于去除太空用水中弱电解质--氨的研究

研究了太空站水的总循环开发中EDI膜堆电流、进水的总氨浓度、进水流量等因素对EDI去除氨的影响,并对各影响因素进行了解释．实验结果显示：在氨进水质量浓度高达208．3mg／L的情况下,出水总氨的质量浓度为0．072mg／L,EDI对氨的去除率为99．97％．     

反渗透膜在超纯水生产中的应用

介绍了ＮＴＲ－７５９反渗透膜的结构及其脱除性能，将反渗透（ＲＯ）膜与醋酸纤维（ＣＡ）膜进行了比较，着重叙述了ＮＴＲ－７５９在双级ＲＯ中用作中间和精处理时对低浓度的盐和ＴＯＣ的脱除特性，实际应用表明，ＮＴＲ－７５９是一种性能良好的反渗透复合膜，可广泛应用于高纯水的制备。     

NTR—759反渗透膜在超纯水中的应用

前言 众所周知,反渗透用于纯水制备已日趋广泛,早期是用醋酸纤维(CA)膜,由于PH范围窄、脱盐率不高、寿命不长、操作压力高、对进水要求苛刻等缺点,现普遍采用TFC(复合膜)。例如:PA-300复合膜、FT-30复合膜都是很好的复合膜。本文介绍NTR-759复合膜。 一、NTR-759复合膜的结构 NTR-759为芳香聚酰胺复合膜,其结构式为(图1):     

亚微米电路用高纯水中细菌内毒素的控制

本文介绍亚微米电路用水对细菌内毒素的要求，细菌性毒素含量的测定机理和三种常用测定方法，并用鲎试剂凝结法测定高纯水的细菌毒素含量，结果表明，用膜分离技术制取高纯水，其细菌内毒素指标完全达到亚微米电路用高纯水要求。     

用紫外光和双氧水降低工业废水色度的研究

本文研究185nmUV加H₂O₂去除工业废水中的色度.实验结果表明:185nmUV能使水发生均裂反应,产生·OH、·H和e_aq(水合电子)等活性中间体,对废水的色度有一定的去除作用;对185nmUV加H₂O₂对废水的色度有很好的去除效果,而且H₂O₂在紫外线的作用下也可以生成·OH,与单独使用185nmUV相比,降解速率可以提高10~20倍.因此脱色效果好,脱色速度快,适合多种色料,处理后结果色度均能达到国家一级以上的排放标准.本文研究的185nmUV+H₂O₂方法,工艺简单、操作方便、脱色快捷效果好,可广泛应用于各种场合的各种色度的脱除.     

先进的离子色谱半导体检测系统

本工作建立了高纯水、高纯气(N_2、H_2、O_2、Ar、He);特种气体(硅烷、磷烷、二氧化碳、氯化氢、甲烷)以及硅片,高纯水用的各种树脂、塑料,各种反渗透膜、超过滤膜中阴离子分析方法,对于F~-,Cl~-,NO_3~-,HPO_4~(2-)及SO_4~(2-)检测限分别为0.1,0.05,0.5,0.5,0.1ppb,并建立了半导体工艺废水中NH_4~+、NO_2~-、SO_3~(2-)、Br~-、CN~-和AsO_4~(3-)等离子的分析方法。用自制的小容积、灵敏度高的电导检测器以及自制的大体积定量管,代替了引进件。并改进了检测系统, 增加反压装置,降低了基线噪声,设计并制造了一套膜过滤及溶液吸收联用的气体采样装置,采用一次直接进样,大大提高了检测灵敏度(3倍),降低了检测限,从而首次成功的将这一分离技术应用在半导体工艺中,在国内外首次实现测定≤0.5ppb级超痕量阴离子不采用浓缩柱的技术,建立了快速、灵敏、可靠性强的离子色谱分析的新方法。 目前已为全国85个单位检验各种水质、原材料、气体等。该方法已定为中华人民共和国电子级水国家标准方法的仲裁方法。     

超纯水与大规模集成电路

进入70年代以来,大规模集成电路飞速发展,特别是N沟MOS电路发展更快。国外1972年研制出N沟MOS4千位动态随机存贮器(4KRAM),相当于一万多个元件;1976年研制出16KRAM,相当于三万七千个元件;1978年又发展到64KRAM,约13—14万个元件;1980年美国、日本已研制出256KRAM样管,大约50万个元件。目前,我国已研制出16KRAM。随着大规模和超大规模集成电路的发展,集成度越来越高,线条越来越细,其成品率随集成度的增加成指数关系下降,因