500千伏输电线路绝缘配合设计的改进意见

我国第一批500千伏输电线路的塔头尺寸比国外的大,主要是绝缘配合设计中存在问题,如绝缘子串太长、要求的空气间隙较大、风偏设计不符合实际等,有必要加以改进。在保证必要的安全度的基础上,缩小塔头尺寸、减小走廊宽度、节约钢材和投资,同时增大输送容量,提高经济效益,并在技术上赶上世界先进水平。本文就在这些方面提出改进意见,仅供讨论。一、减少串长采用大爬距绝缘子第一批线路悬垂绝缘子串的片数受工频污闪的要求所控制,即按单位电压的爬距不小于1.6厘米/千伏(额定线电压)的要求、XP—16绝缘子单片爬距保证值仅29厘米,故每串需28片,串长(绝缘部分)约4.34米。而按2.5倍操作过电压的要求,对海拔为500和1000米     

基于E1线路复用技术的视频会议解决方案

视 频会议是一项实时业务,带宽 需求大,对网络 QoS 保障能力非常敏 感。无论采用何种编解码方式或通信协 议,都很难从根本上解决视频会议系统 的QoS保障问题。当然,如果各个远端 节点与中心MCU 之间直接租用专线, 就可以实现稳定的视频会议。但这种方 式的带宽利用率低,实现成本高,一般 只能在军队、高级政府部门得到应用。 对于更为广泛的一般政府部门、企事业 单位,往往需要在一条线路中实现数 据、语音、视频的多种业务传输,最大 化的利用网络资源。 SDH 网络是当前电信运营商普遍 提供的网络资源,用户可以很方便地租 用基于 SD…     

光纤表面等离子体波共振温度传感器的研究

根据液体折射率随温度变化而改变的特性，提出了一种基于表面等离子体波共振(SPR)效应的新型光纤温度传感器，分析了表面等离子体波共振光纤探头感应环境温度变化的原理。对表面等离子体波共振探头结构进行了优化设计，并进行了相关实验，为实现高折射率液体介质的感温测试和扩大测温范围提供依据。通过自行设计的一套光纤温度传感测试系统，得到系统输出的表面等离子体波共振光谱信号随温度变化的特性曲线，并提出对共振波长和最小光强反射率进行实时双参数测量的方法。实验结果表明，该测试系统具有结构简单、全光纤化、易远程测量等优点。     

双积分A/D转换器的量程自动转换

介绍了一种双积分式A/D转换器在宽范围量程测量中的自动量程转换技术.在测量仪表的输入通道中,用计数器对双积分型A/D转换器本身所固有的过量程/欠量程信号计数,计数器的输出作为量程编码去控制量程的选择,同时又是送到CPU的量程指示信号.该技术扩大了A/D转换量程,提高了精度,设计简单,工作可靠.     

GaAs/AlGaAs量子阱中飞秒超快光谱研究

使用飞秒白光泵浦探测技术研究了GaAs／AlGaAs量子阱材料中超快动力学行为。采用了非共振泵浦,激发了不满足△n=2p选择定则的光跃迁,观察到差分透射谱中的3个吸收跃迁饱和漂白峰。一方面,E1导带上的电子和HH2上的空穴通过各种散射和复合而快速减少,E1-HH2和E2-HH2峰迅速衰减;另一方面,由于处在带边的复杂性致使E1-HH1峰在25ps内几乎没有衰减。与掺杂多量阱材料的驰豫动力学比较可知,超晶格中由于阱间波函数的耦合使载流子的散射加快;而掺杂多量子阱中由于捕获中心的存在使载流子的复合加快。     

LD泵浦OF耦合NYAB自倍频激光器的初步研究

研制出国内第一台LD泵浦OF耦合NYAB自倍频激光器,产生0.531μm的线偏振绿色激光。基横模运转,阈值泵浦功率为14mW,输出功率达3.6mW,斜效率达3％,偏振度大于99.8％。     

染料放大器的ASE和飞秒脉冲放大

分析了染料放大器(DLA)的放大的自发辐射(ASE)的分布、上能级以及三重态粒子数分布。用数学方法模拟计算了泵浦作用时非饱和情形下染料分子的储能和飞秒脉冲的放大。我们认为,设计一个染料放大器必须考虑三重态积累对分子储能的影响。用调Q倍频Nd∶YAG脉冲同步泵浦染料二级放大器放大飞秒脉冲,得到的第一、二级放大倍数分别为1000和60,对于第一级放大,计算结果与实验结果基本相符。     

新材料NdCa2Co4OY的晶胞测定和调制结构分析

近年来发现的氧化物高温超导体的结构都是含有Cu-O面的类钙钛矿结构。为探索Cu-O面的导电机制,寻找不含铜的高温超导体被越来越多的人们所重视.钴是一种经常被使用的替代元素。最近Morozofsky等人在测磁化率时发现LaCa_2Co_3O_Y在227K出现超导转变,但未见详细报导。本文将介绍氧化物陶瓷材料NdCa_2Co_4O_Y晶胞参数的测定,以及其公度、非公度调制结构和孪晶、层错现象的观察、分析。NdCa_2Co_3O_Y样品由固态反应法制成。将分析纯的Nd_1O_3、CaCO_3、Co_2O_3粉末按摩尔比Nd:Ca:Co=1:     

选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET

在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。     

P18—T200型台式再流焊机的设计特点

全面介绍了Ｐ１８－Ｔ２００型台式再流焊机的结构特征、工作原理及其相关技术指标，并结合再流焊机设计中的关键技术问题，提出了自己的解决方案。