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锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。 相似文献
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日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb/InAs HEMT结构,其迁移率高达27300cm^2/V.s,该种结构将用于逻辑电路,它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段] 相似文献
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对激光快速熔凝技术在快速凝固理论与组织形成规律方面的研究现状进行了全面的评述,分析了目前研究工作中存在的不足,并提出了改进方向。 Recently, laser rapid remelting and solidification technologyhas been widely used in the research on solidification theory, especially on rapidsolidification theory. A complete review on these research has been made. Mean-while,some shortcomings existing in these research have been analyzed and the di-rection for improvement has been pointed out. 相似文献
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通过工程实院,分析了GRC板轻质隔墙抹灰层开裂的原因,并提出了行之有效的防治措施与施工方法,供施工时参考。 相似文献