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11.
采用脉冲电沉积方法在黄铜基体上制备出纳米晶Fe-Ni-Cr合金镀层,并研究了占空比对其成分及耐蚀性的影响。结果表明:当占空比为50%时,制备的Fe-Ni-Cr合金镀层成分稳定,其中Cr的质量分数达到37.4%;晶粒尺寸约为12.6nm;在3.5%的NaCl溶液中的自腐蚀电位约为-200mV,自腐蚀电流密度约为0.27μA/cm2,电荷转移电阻约为12 000Ω/cm2,耐蚀性最好。  相似文献   
12.
采用电液伺服疲劳试验机对2205双相不锈钢进行不同过载比(1.0,1.5,2.5,3.5)下的疲劳裂纹扩展试验,研究了单峰过载对疲劳裂纹扩展速率的影响。结果表明:过载比越大,2205双相不锈钢裂纹扩展停滞的时间越长,疲劳裂纹扩展速率下降的幅度越大;当过载比小于3.5时,单峰过载引起裂纹尖端发生钝化或闭合,疲劳裂纹扩展速率明显下降甚至暂时停滞;当过载比为3.5时,裂纹尖端发生偏折及分叉,疲劳裂纹扩展完全停止。  相似文献   
13.
采用脉冲电沉积方法在纯铜基体上制备出Ni-W合金镀层。研究了脉冲占空比(30%~60%)对镀层表面形貌、结构、成分和耐蚀性的影响。结果表明:制得的Ni-W合金镀层表面致密、平整,W的质量分数在46.84%~49.24%范围内窄幅波动,具有非晶态结构。脉冲占空比为50%时制得的镀层的耐蚀性最好。在3.5%的NaCl溶液中,自腐蚀电位较正,自腐蚀电流密度最小,电荷转移电阻最大。  相似文献   
14.
介绍了MATLAB的基本特点及应用SPS工具箱进行电力系统仿真分析的基本方法和步骤,并对SPS工具箱进行了详细的描述,介绍了基于该工具箱的电力系统分析方法.同时介绍了应用优化工具箱进行电力系统分析计算的方法,通过求解电力系统最优潮流,表明应用优化工具箱及编写M函数,可以方便地进行电力系统分析,说明了MATLAB在电力系统优化计算中所拥有的卓越功能.  相似文献   
15.
陈吉  韦化 《现代电力》2005,22(6):13-17
最优潮流的研究涌现出许多优秀方法。基于内点法的逐线性规划方法因其不需要形成海森阵及收敛精度处理灵活等优点,在电力系统中获得广泛应用。信赖域内点法可以很好地解决逐线性规划方法中的步长调整问题。文中基于现代内点理论提出一种改进的信赖域内点算法。新算法提出以下改进措施:①由常规潮流获得初始点,改善信赖域子问题可行性;②迭代中无须与潮流计算配合,增加算法通用性;③引入变量到信赖域子问题模型中确保计算的连续性;④改进信赖域子问题模型,提高计算精度;⑤调整收敛判据,加快计算速度;⑥由现代内点法求解信赖域子问题,并构造简约修正方程,减小计算量。用改进算法求解两类OPF问题。在IEEE14-300节点测试系统进行数值计算,表明所提出算法的正确性和有效性。  相似文献   
16.
介绍基于扰动Karush—Kuhn-Tucker(KKT)件的内点算法,以及利用MATLAB符号工具箱、M函数求解电力系统最优潮流基本方法和步骤.  相似文献   
17.
对2205双相不锈钢(DSS)在空气、去离子水和3.5%(质量分数)NaCl溶液中进行疲劳裂纹扩展实验,结果表明,水溶液环境可显著提高2205 DSS疲劳裂纹扩展速率,降低其疲劳寿命,疲劳裂纹扩展速率顺序为:(da/dN)_(deionized water)(da/dN)_(NaCl)(da/dN)_(atmosphere),疲劳裂纹扩展寿命顺序为:N_(atmosphere)N_(NaCl)N_(deionized water)。断口观察表明,氢致开裂是双相不锈钢材料在水溶液介质中疲劳性能弱化的主要原因。与去离子水相比,Cl~-具有更强的腐蚀作用,在主裂纹前端可诱发更多的缺陷并发展成二次裂纹,使有效裂纹长度更长,裂纹扩展的驱动力更小。  相似文献   
18.
采用脉冲电沉积制备出Ni-WC/Co纳米复合镀层,研究镀液中WC/Co含量对复合镀层晶体结构、晶粒尺寸和硬度的影响;室温下,通过测试复合镀层在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的电化学行为,分析镀层的耐蚀性能。结果表明:随着镀液中WC/Co含量增加,复合镀层平均晶粒尺寸先减小后增大,硬度则是先增大后减小,复合镀层的耐蚀性能是先升高后降低。当WC/Co含量为30 g/L时,复合镀层的平均晶粒尺寸最小,硬度最高,腐蚀电位(E_(corr))较高,腐蚀电流密度(I_(corr))最低,耐蚀性能最佳。  相似文献   
19.
采用脉冲电沉积方法在黄铜基体上制备出Ni-W合金镀层。研究不同脉冲频率(0.5~20.0kHz)对镀层表面形貌、微观结构、硬度及耐蚀性的影响。所有Ni-W合金镀层的表面均致密平整,W的质量分数为42.41%~48.92%。脉冲频率为5.0kHz时制备的Ni-W合金镀层在3.5%的NaCl溶液中的耐蚀性最好,自腐蚀电流密度为2.532μA/cm2,自腐蚀电位为-327mV。  相似文献   
20.
概述各种常用分子标记技术RFLP,RAPD,AFLP,SSR,ISSR,SCAR,STS,CAPs的原理,并从种质资源的鉴别、基因定位、基因累加、异源目的基因的筛选、遗传图谱的构建等方面综述了分子标记技术在植物育种中的应用。  相似文献   
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