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441.
裂变产物137Cs和129/131I是液态流出物中重点关注的核素,其产额高、迁移能力强,具有生物有效性,是核设施辐射环境安全评价的重要指标。本文以某拟建核电厂液态流出物长距离排放管线下方浅层土壤及模拟地下水为实验材料,采用稳定同位素(133Cs和127I)替代开展贯穿扩散实验,通过自定义软件Pycharm对扩散数据进行拟合。结果表明,不同采样点的浅层土壤通过吸附作用阻滞Cs+扩散,Cs+的有效扩散系数为3.87×10-11~4.31×10-11 m2/s;而对于阴离子I-,其所有采样点的固液分配系数Kd均趋近于0(1.75×10-4~2.72×10-7 L/g)、有效扩散系数为1.97×10-11~2.61×10-11 m2/s,表明弱吸附...  相似文献   
442.
针对传统边坡高位危岩体监测手段的局限性,结合硬梁包水电站厂区边坡高位灾害变形监测要求,引入了无人机微变摄影测量技术,利用无人机采集边坡高位危岩体数据,分辨率可达亚毫米级,并构建三维实景模型,可以生成三维模型、DOM、DEM、数字点云等测绘产品。工程实践表明:微变摄影测量技术获取的三维模型具有真实、纹理清晰、精度高等优势,为边坡高位危岩体调查、监测及巡检提供了一种新的方法。  相似文献   
443.
针对SEMI标准对12寸(约300 mm)薄晶圆标识的要求,采用1 066 nm光纤激光晶圆标识系统对裸硅晶圆与镀膜晶圆进行激光标识工艺的研究。通过控制变量法改变激光器的功率百分比,分别在两种晶圆上标记Dot样式的SEMI字体,并对标识的质量和识读率进行评估。研究发现,裸硅晶圆标识从无到有,甚至到严重溅射对应的激光功率范围是11.77~19.25 W,镀膜后的硅晶圆对应的功率范围是4.40~11.77 W。在裸硅晶圆上标识的Dot形貌更符合SEMI标准要求。镀膜后的晶圆熔融阈值变小,但是工艺窗口变窄,标识字符和条码Dot圆度较差,飞溅不易控制。两种晶圆OCR的识读率差异不大。  相似文献   
444.
445.
利用紫外纳秒标识系统对硅晶圆表面进行二维码直接标识试验研究。采用控制变量法,分别研究不同的脉冲占空比、重复频率、光斑重叠率对标识材料的热损伤、表面形貌以及二维码识读效果的影响规律。研究结果表明,脉冲占空比和重复频率对标识区域的环宽和热损伤影响效果明显,二维码的读取率和识读时间同时受占空比、重复频率、光斑重叠率影响。单脉冲能量在10.7~20μJ范围内可以标识出符合SEMI标准的均匀、细腻、稳定、高识读率的无尘标识。  相似文献   
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