硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案

讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.     

从OFC 2003看平面光波导器件的发展动向

概述了2003年OFC会议上报道的平面光波导器件，着重介绍了平面光波导器件在新材料、新工艺、新结构方面的新进展和发展方向。     

光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展

文章简要介绍了光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展,重点分析了控制和驱动电路的功能以及不同类型和材料的光开关的控制和驱动电路的实现形式。同时讨论了控制和驱动电路与光开关芯片的系统集成方法。     

湿法腐蚀制备的SOI光波导

用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和1×2 3dB多模干涉分束器,修正了有效折射率和导模传输方法的误差.制作的器件具有低传输损耗(-1.37dB/cm)、低附加损耗(-2.2dB)、良好的均衡性(0.3dB)等优良性能.     

改善JC 11.7 tex纱条干均匀度的工艺优选

为改善JC 11.7 tex纱条干均匀度,采用单因素试验分析方法,对影响细纱条干均匀度的粗纱定量、粗细纱捻系数、细纱罗拉及钳口隔距、后区牵伸、胶辊直径和加压等诸多因素进行了试验分析和优选。结果表明:采用优选的工艺参数后,成纱条干CV下降为12.52%。认为:在充分考虑配棉及细纱设备的条件下,通过工艺试验优选工艺参数,可较好地改善成纱条干均匀度。     

湿法腐蚀制备的SOI光波导

用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和1×2 3dB多模干涉分束器,修正了有效折射率和导模传输方法的误差.制作的器件具有低传输损耗(- 1 37dB/cm)、低附加损耗(- 2 2dB)、良好的均衡性(0 3dB)等优良性能.     

SOI波导弯曲损耗改善方法的研究

采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Sillcon-on—insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析．模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显．同时通过实验获得了验证．对R=16mm、横向位移为70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗.     

中小型卧式水轮机主轴密封结构的改进

对中小型卧式水轮机主轴密封装配的传统结构进行分析,对其存在的不足进行了研究,提出了一种新的填料密封结构。通过分析,得出了该种填料密封结构性能较好的结论。     

贫化电炉冰铜溜槽系统改造

贵溪冶炼厂于1998年对贫化电炉冰铜溜槽系统成功地进行了改造。改造内容主要为重要设计、布置冰铜流槽和三个包子箱及其设备基础；设计三台可在包子箱内冰铜包的冰铜装入位置和起吊位置之间往返运行的冰铜包小车；设计二台电动包子箱门供三个包子箱使用。两年多的生产实践证明，这一成功的改造消除了原有溜槽过长所引发的烟气量多、溜槽固铍率高及石墨溜槽消耗量大等一系列问题，改善了作业环境，降低了石溜槽维修成本，提高了能源利用率。本文介绍了贫化电炉冰铜溜槽系统改造的背景、方案及效果。     

压力棒上销与压力棒隔距块和集棉器配合使用对成纱品质的影响

为了探讨后区压力棒上销、集棉器和压力棒隔距块配合使用对环锭纺成纱品质的影响,分析了新器材的原理,以9．7tex普梳纱为例,在环锭细纱机上分别采用后区压力棒上销与集棉器配合、后区压力棒上销与压力棒隔距块配合进行纺纱对比试验,并对成纱品质的影响进行了分析;试验结果表明：后区压力棒上销与集棉器的配合使用能提高成纱强力并降低毛羽,后区压力棒上销和压力棒隔距块的配合使用能改善成纱条干。