载流子寿命对Si基光电子器件性能的影响

研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件。     

Dispersion characteristics of nanometer-scaled silicon nitride suspended membrane waveguides

We investigate the dispersion properties of nanometer-scaled silicon nitride suspended membrane waveguides around the communication wavelength and systematically study their relationship with the key structural parameters of the waveguide. The simulation results show that a suspended membrane waveguide can realize anomalous dispersion with a relatively thinner silicon nitride thickness in the range of 400 to 600 nm, whereas, for the same membrane thickness, a conventional rib or strip silicon nitride waveguide cannot support anomalous dispersion. In particular, a waveguide with 400 nm silicon nitride thickness and deep etch depth (r=0.05) exhibits anomalous dispersion around the communication wavelength when the waveguide width ranges from 990 to 1255 nm, and the maximum dispersion is 22.56 ps/(nm·km). This specially designed anomalous dispersion silicon nitride waveguide is highly desirable for micro-resonator based optical frequency combs due to its potential to meet the phase-matching condition required for cascaded four-wave-mixing.     

浅谈对批判地域主义的理解

该文通过对批判地域主义相关资料的阅读,分析其概念、产生的背景及其发展,进一步探讨对批判地域主义的理解,以及对该理论与实践关系的思考.     

SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析

利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间随之增加.电极的尺寸对开关性能影响较小.如果采用全体硅材料制作光开关,开关速度能达到5μs,但功耗将增至0.92W.     

浅谈沉井施工的质量控制

沉井技术广泛运用于各类工程项目中,文章阐述了沉井施工过程中主要控制目标及手段。     

分银槽的改造

1概况分银槽是我厂一车间湿法冶炼生产中的主要搅拌反应设备，为不锈钢材质。投产初期，用作浸出分钢渣中银的反应设备，能基本满足生产工艺的要求。自一车间湿法工艺流程改造后，该槽用作亚硫酸钠提取分金渣中银的反应设备，在使用过程中发现设备腐蚀严重，而且还常有伴生单质银析出于不锈钢槽体表面，造成分银渣含银量偏高，破坏了正常的金属进出平衡，影响了银的回收率。很显然，在新的工艺技术环境下，不锈钢材质的分银槽已不能满足生产的需要，为了克服这一弊端，车间决定对分银槽进行改造，尝试改用全玻璃钢材质替代不锈钢材质来制作…     

高可靠性16×16 SOI热光开关阵列

在分析加热器对热光开关阵列可靠性影响的基础上,提出了一种新的热光开关阵列控制和驱动电路.分析表明,在假设加热器失效率为5%的情况下,新控制和驱动电路可以使16×16 SOI热光开关阵列的可靠性从34.99%提高到92.30%.同时,采用引入控制信号预处理模式,使封装后的热光开关阵列控制端口数从34个减少到10个.在采用新的控制和驱动电路基础上,研制出高可靠性的16X16 SOI热光开关阵列.     

硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案

讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.     

微腔光频梳的应用研究进展

微腔光频梳作为一种频率的测量工具,具有高准确度、可集成化的优势,将在深空探测、精密计量等领域发挥巨大作用。本文系统全面地介绍了微腔光频梳在非线性激发产生和器件研制方面的技术现状,阐述了微腔光频梳在光钟、测距成像、光谱分析、频率合成器、低信噪微波源和相干通信等方面的研究进展,对光频梳未来的技术研究热点和应用前景进行了预测,为微腔光频梳在计量、测试、通信等领域的应用发展起到推动作用。     

大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统

针对 8 0 8nm大功率 Ga As/ Ga Al As半导体量子阱激光器的远场光场分布特点 ,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求 ,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统 ,对耦合光学系统的实际性能进行了测试 ,给出了耦合效率统计分布图、耦合偏差曲线和高低温可靠性实验结果 .用设计制作出的实用化耦合光学系统完成了输出功率 15— 30 W,光纤束数值孔径为 0 .11— 0 .2 2的半导体激光光纤耦合模块 ,模块的使用结果表明耦合光学系统稳定、高效、实用