尿素装置汽提塔腐蚀特点

介绍了尿素装置汽提塔设备概况,详细叙述了该设备封头、管箱、汽提塔的腐蚀情况,并对设备的腐蚀原因进行了探讨,针对汽提塔的腐蚀特征,从工艺操作和设备检修两方面提出了改进建议。     

退火气氛中CO2含量及加热时间对钢坯氧化的影响

在热轧加热炉中,燃气热值的波动会带来退火气氛的变化,钢坯在炉停留时间也会受生产节奏变化的影响产生变化,从而造成钢坯氧化难以预测和控制。本工作在1250℃的加热温度及CO2+N2的气氛下进行实验,研究了CO2含量和加热时间对钢坯氧化行为的影响。结果表明,钢坯氧化动力学曲线分为线型和抛物线两个阶段,随着CO2含量的增加,线型阶段缩短,该阶段的氧化增重也减少;在抛物线阶段,抛物线速率常数kp与CO2含量呈对数关系。钢坯表面氧化层分为致密层和疏松层,致密层位于氧化层外侧,由Fe3O4及其还原产物FeO组成;疏松层位于致密层/金属基体之间,由FeO及其先共析产物Fe3O4组成。疏松层存在孔洞,并且CO2含量越高孔洞越多。     

中远红外超宽波段高反射一维光子晶体薄膜结构设计

红外高反射薄膜是实现超低损耗光学器件、红外隐身等技术的关键基础材料。根据多层光学薄膜的传输矩阵原理,得到一维光子晶体的反射率和透射率表达式,分析推导了一维光子晶体的能带结构。利用传输矩阵原理,以Ge和Si O₂为介质材料设计了28层λ/4一维光子晶体结构。随后,利用有限元法计算其光子能带,使用折射率差值更大的Pb Se和Si O₂,计算出光子晶体的第一、第二禁带分别为2.01×10¹³~4.11×10¹³Hz和8.13×10¹⁴~1.02×10¹⁴Hz。优化后的λ/4一维光子晶体结构层数低至14层,实现了3~5μm和8~14μm的高反射率。     

B4C增强SiC基复合陶瓷力学性能和抗氧化性能

为改善SiC基复合陶瓷的抗氧化性能,以SiC基复合陶瓷为对象,研究了B₄C的添加量对SiC基复合陶瓷显微结构、力学性能和抗氧化性能的影响。结果表明,添加B₄C可提高材料中SiC的结晶性和石墨化程度;经1 450℃处理后,当B₄C添加量为6%(质量分数)时,SiC基复合陶瓷的线变化率由1.39%降至0.58%;抗折强度和抗压强度分别由28.06 MPa和48.03 MPa提高到50.25 MPa和98.58 MPa(分别提高1.8倍和2倍);当B₄C添加量由0增加到6%时,SiC基复合陶瓷经1 400℃烧结(氧化气氛)的氧化指数由30.33%降低至18.35%,氧化层厚度由3.52 mm降至0.23 mm。添加B₄C可提高SiC晶须的生成量,显著增强SiC基复合陶瓷的强度和抗氧化性。     

B4C陶瓷中原位生成TiB2及其对力学性能的强化机制

以 TiO₂为烧结助剂,采用反应烧结法在 B₄C 陶瓷中原位生成 TiB₂,制备出致密的 B₄C 陶瓷,并对其强化机制进行了分析。结果表明：随着 Ti O₂添加量的增加,B₄C 陶瓷的致密度和抗弯强度先增大后减小,断裂韧性不断增大。当 Ti O₂添加量为 5% (质量分数)、烧结温度为 1 700 ℃时,B₄C 陶瓷致密度达到 99.6%;当 TiO₂加入量为 15%时,B₄C 陶瓷的 Vickers硬度为 36.0 GPa,断裂韧性为 4.38 MPa·m^1/2,抗弯强度为 405 MPa,综合性能最优。原位生成的 TiB₂抑制了 B₄C 陶瓷晶粒长大,消除了裂纹尖端应力,使裂纹产生偏转和分叉,对 B₄C 陶瓷起到细晶强化和增韧作用。     

含镁铝尖晶石的铝酸钙水泥的合成与流变特性

在1400℃和1500℃温度下合成了不同配比的铝酸钙水泥(CMA)。检测结果显示, 当温度升高时镁铝尖晶石的粒径由5 μm生长到15 μm。合成温度达到1400℃时, 镁铝尖晶石晶粒呈团簇状并分布在铝酸钙晶粒周围; 当合成温度升高至1500℃时, 镁铝尖晶石晶粒穿插在铝酸钙晶粒中。另外, 随着水泥中镁铝尖晶石含量的增加, 水泥的凝结时间延长, 同时粘度下降。相应的, 水泥储能模量和流动点的大小分别为0.15 MPa和4.44%。提高镁铝尖晶石相的含量或增大铝酸钙晶粒尺寸会减弱水泥水化时絮凝结构的强度。     

与FFT并行算法相适应的体系结构探讨

介绍了并行FFT算法,讨论其在网格和超立方体并行体系结构上的实现方法,并作了多个方面的比较,为高效实现并行FFT选择一种合适的体系结构。经研究表明,并行FFT算法的最佳体系结构为超立方体。     

世界人造板的技术进展和对发展我国人造板工业的建议

本文节自《赴意大利参加联合国粮农组织人造板专家讨论会的报告》。为促进发展中国家发展人造板工业,由联合国粮农组织主办的人造板专家讨论会于1987年9月28日至10月1日在意大利罗马召开。陈平安,李继书,陈绪和三位同志参加了此次会议。     

La3+掺杂SiC纳米线的电磁性能与第一性原理计算

SiC 纳米线具有吸波性能强、作用频带宽、密度低的优点,但是由于 SiC 较差的阻抗匹配条件和较低的电导率,影响了其吸波性能的进一步提高。为了调节 SiC 的电子结构,改善其电磁性能,以硅微粉、活性炭、La₂O₃粉末为原料通过碳热还原法在 1 600 ℃合成了 La³⁺掺杂 SiC 纳米线。结果表明：掺杂 La³⁺能够增大 SiC 纳米线的长径比和堆垛层错密度,增强其形成三维网状结构和界面极化的能力,其介电性能得到了提高。在 2～18 GHz 范围内,其介电实部由 3.08～13.48(x=0)提升至3.33～19.75(x=1.0%),介电虚部由 3.45～6.98(x=0)提升至 5.03～11.56(x=1.0%)。同时 La³⁺掺杂提高了 SiC 纳米线的电导率,增强了其电导损耗。由于 SiC 纳米线界面极化和电导损耗的同时增强,掺杂 2.0%的 La³⁺的 SiC 纳米线在厚度为 2.0 mm 时达到了最小反射损耗(R_L