基于响应曲面分析的连体泳装结构情绪测量

针对不同连体泳装引起用户情绪差异问题,从结构设计出发,基于连体泳装基础结构,选取前领口深、后领口深、侧缝长3个结构设计要素为因素,进行三因素三水平响应面设计,利用CLO3D软件制作各连体泳装的三维虚拟试衣动态视频作为刺激视频,以愉悦度、激活度、优势度为指标测量用户情绪,进行响应面试验并建立回归方程。结果表明:响应面模型与实际情况拟合良好,能较好预测连体泳装的情绪值,影响愉悦度和激活度的因素依次为侧缝长、后领口深、前领口深,影响优势度的因素依次为后领口深、侧缝长、前领口深;前领口深和后领口深的交互作用对情绪的影响较为显著;并得到了以情绪为导向的连体泳装结构设计预测结果。     

一种900MHz CMOS低压高线性度混频器的设计

针对无线通讯设备面向高性能、低成本、低电压、低功耗和小体积的应用,对基本的CMOSGilbert混频器构架加以改进.改进后的混频器在3V下具有高线性度(IIP3=7.4dBm),隔离度较高,提供1 3dB的变频增益,而噪声也在12.5dB以下.     

脉冲式高精度激光测距技术研究

本文对脉冲式激光测距仪的误差来源进行了分析,着重讨论了影响测距仪随机误差的几个因素。通过分析可以 看到,提高时间间隔测量电路的分辨率,采用高速阈值鉴别芯片以及缩短信号上升沿是提高测距精度的有效方法。其中,信号上升沿的 缩短可以通过采用窄脉冲激光器以及适当的接收电路带宽来实现。通过仿真计算得到,保持5ns上升时间不被扩展的最小带宽约为90MHz。 采用这个思路设计了一种高精度激光测距系统。经测试,该系统对500m内不同距离目标的单次测距精度(3σ)在0.077m～0.115m之 间,对距离在500m到3km的目标则优于0.1‰D+0.05m (D为距离)。同之前采用不同激光器和带宽的设计相比,该系统的单次测距精度有了明显的 改善。     

以有源电感为负载的CMOS宽带LNA设计

本文设计了一个基于数字CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器,其中包括了级联型有源电感的优化设计。电路采用共栅结构,用HSPICE进行仿真优化,模拟结果表明电路工作良好,S21达到10dB,电压增益为17dB,满足增益要求;在3dB带宽内,S11在-12￣-17dB之间,完全符合一般通信系统S11<-10dB的要求;NF在3.6至4.9之间。通带的反向隔离良好,大于40dB,S22亦在-14dB以下。     

个性化推荐系统中的用户建模及特征选择

提出了一种基于向量空间模型的用户模型表示及其动态学习算法,研究了用户建模中的特征选择,提出了一种根据词性标注信息将词频法和TFIDF方法相结合的特征选择方法。实验结果表明这种动态学习算法能实时捕捉并记录用户最新的兴趣需求,从而准确地推荐出符合用户兴趣的信息,同时这种基于词性标注的组合特征选择方法的效果好于单独使用词频法或TFIDF方法。     

高温下预应力钢丝的应力应变关系

通过对四种常用的预应力钢丝在不同温度下的强度和变形试验,分析了各种预应力钢丝在20~600℃范围内的应力-应变曲线、弹性模量等方面的力学性能,给出了相应的计算公式。     

基于BP神经网络的义乳文胸结构个性化定制

为提高义乳文胸产品设计效率,解决义乳文胸设计难以融入用户感性需求的问题,运用感性工学原理,提出一种基于BP神经网络的义乳文胸结构个性化定制方法。利用感性工学语义差异法进行义乳文胸感性意象的量化评价,使用因子分析法进行数据分析,筛选出了3个感性因子;以形态分析法解构义乳文胸结构,通过BP神经网络模型建立用户对义乳文胸结构的感性意象评价与义乳文胸主要结构之间的映射关系;通过训练及预测验证该模型的可行性和有效性,得出不同感性意象评价对应的义乳文胸结构,可指导义乳文胸结构个性化设计。     

硅基微显示芯片综述

增强现实技术是元宇宙重要的人机交互平台,其中光学成像部件和微显示屏是成像质量的关键。目前有5种微显示器件：硅基液晶、硅基OLED、硅基micro LED、digital light processing(DLP)、激光扫描振镜。将着重介绍不同微显示屏的组成结构、工艺流程、硅基驱动方式、发展现状及面临的挑战。在硅基驱动部分,将从像素驱动的不同电路和不同驱动电路的优缺点入手,分析不同显示技术在硅基部分的设计和指标挑战。对目前不同技术所能达到的指标进行汇总比较。讨论硅基背板的设计关注点和发展趋势。最后,对不同微显示芯片的应用场景和发展进行讨论。     

浸泡Ni(NO3)2溶液的石墨在不同温度下生长的碳纳米管及其场发射性能

将石墨衬底浸泡于0.5mol/LNi(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜。研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小。同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强。实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度。