玻璃及不锈钢衬底N型微晶硅薄膜的制备

利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以PH3为掺杂剂,在浮法玻璃衬底和不锈钢衬底上制备了纳米级的n型微晶硅薄膜。采用Wvase32型椭圆偏振光谱仪、Reinishaw2000型拉曼(Raman)光谱仪和高阻仪对薄膜进行测试,以研究沉积条件对薄膜沉积速率、晶化率和暗电导特性的影响,并对沉积功率和沉积气压进行双因素优化,绘制了双因素相图。     

莱钢炼钢厂型钢2#连铸车间更换水口操作对铸坯质量影响的研究与控制

本文通过对更换浸入式水口产生的缺陷进行统计分析,查找出产生的原因,并制定相应的更换水口的标准化操作及预防措施。     

超声-脉冲电场协同作用对制糖钙盐积垢的防除研究

使用自制的超声场-脉冲电场协同防垢装置对CaCO3、CaSO4和Ca3(PO4)2等3种糖厂主要积垢的生成溶液进行处理,研究其对这3种积垢防除效果,并通过正交试验确定最佳工艺参数。结果表明:超声场-脉冲电场对CaCO3、CaSO4和Ca3(PO4)2积垢的防除率分别达到70.38%、51.74%及65.73%;最佳防垢工艺参数对CaCO3为超声功率100 W、脉冲电压3 kV、作用时间2 min;对CaSO4为超声功率100 W、脉冲电压3 kV、作用时间3 min;对Ca3(PO4)2为超声功率110 W、脉冲电压3 kV、作用时间2 min。     

高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积

利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱;高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚;电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区。经过工艺的初步优化,在高压强(600 Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1 nm/s。     

加固机电气绝缘性案例分析与研究

测试加固机电气绝缘性的基本技术指标是绝缘电阻的测试。本文通过分析实际生产中出现导致绝缘电阻不达标的各种案例,总结出了影响加固机绝缘电阻的几个因素,提出了加固机底板设计及加固机装配过程中应注意的工艺性问题,然后结合实际生产,给出了合理的处理措施,并成功的应用于实际生产中。     

过氧化物酶在蔗汁澄清工艺中除酚脱色的研究

本文研究了pH值、温度、H2O2用量及辣根过氧化物酶(HRP)用量等因素对辣根过氧化物酶催化H2O2氧化多元酚类的影响,并分别用HRP处理亚硫酸法糖厂的混合汁、清汁、糖浆,考察其对糖汁的除酚脱色效果。试验结果表明,HRP催化H2O2氧化处理糖汁具有明显的除酚脱色作用。     

大规格异形坯腹板裂纹的研究和控制

介绍了莱钢大规格异形坯腹板裂纹的研究与控制,以异形坯的形状特殊性对凝固的影响为主线,阐述了大规格异形坯的工艺特点,对腹板裂纹的产生原因进行了深入研究,结合莱钢大规格异形坯的特点实施了有效的解决方案,在解决腹板裂纹控制方面取得了较好的效果。     

多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly－Si技术，研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响，并对实验结果进行了讨论，实验中微波等离子体功率范围在100－500W，CF4气体流量在10－50cm^3/min（标准状态下）范围，气压在0.25-2.5Pa范围，射频偏置功率在0－300W范围，对应的刻蚀速率为10.4-46.2nm/min。