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报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值. 相似文献
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用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒 相似文献
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界面防腐技术是油气田三维大跨度的大型结构群体综合防护治理的主要方法之一,但我国现行的涂层检测方法还存在较大的局限性和失真度,不能反映实际工况下涂层的防护质量。文章指出了我国涂层与防护质量评价技术的现状和与国外的差距,介绍了80年代以来国外在涂层质量评价方面采用的一些新技术和先进的综合评价方法,最后提出了采用表面分析技术和电化学方法相结合的评价技术,以及对现行评价方法的再创造等建议。 相似文献
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仪器开发系统的新纪元 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了代表仪器系统开发平台国际先进水平的LabVIEW系统。该系统平台利用直观的图形编程方法、丰富的辅助功能和强大的调试手段,极大地提高了应用系统的开发效率,简化了开发过程,充分展示了“软件就是仪器”的最新概念。 相似文献
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