在通用平台上实现舰载雷达PPI显示

分析了舰载雷达PPI显示需求，并在传统解决方案的基础上，结合当今IT技术发展现状，提出了使用通用软、硬件平台来解决舰载雷达聊显示的新途径，进而对这种新方案的可行性作了论证测试。     

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE＝22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE＝33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.     

玉门油田青西地区高陡地层防斜钻井技术

针对青西油田高陡地层钻井易井斜难题，对造成井斜的原因进行了分析，提出了两套解决方案，取得了较好的现场应用效果，对高陡地层防斜钻井有重要意义。     

用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60     

用放射配体结合法测定小鼠心肌M-胆硷受体

本文用~3H-QNB作特异结合配基,用简单灵敏的放射配体法测定鼠心肌M受体。经28000×g低温离心制备膜制剂,在2ml Na-K磷酸缓冲液(pH7.4)中含0.8mg膜蛋白,不同浓度~3H-QNB 37℃温育半小时,用国产79型滤膜分离结合与游离部份,用0.01μM QNB作测非特异结合用。对四批ICR纯种小鼠测得的K_D值为0.0918±0.0136nM。实验中用~3H-QNB测得结合曲线,用Scatchard、Hill及双倒数作图法求得K_D和B_~(max)值,还测定了非标记QNB取代50％时剂量、~5H-QNB的结合速度常数与解离速度常数及其t_(1/2)等参数。     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.     

碱性分子筛催化剂上甲苯与甲烷氧化甲基化的研究

对以溴化钠为助剂的碱性分子筛ＫＹ催化剂上的甲苯与甲烷氧化甲基化合成苯乙烯和乙苯进行了研究。ＫＹ分子筛本身对甲苯的氧化甲基化的活性很代，但在添加ＮａＢｒ后其催化活性大大提高。     

数字程控交换机呼叫处理能力测试方法

本文介绍了用模拟呼叫器对数字交换机进行呼叫处理能力的测试方法和BHCA 的计算方法,并对呼叫处理能力与交换机容量的关系及如何在测试中保证测试结果的精确性等问题进行了讨论。