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11.
通过改变球磨时间,得到不同粒度的B2O3-Al2O3-SiO2(简称B-Al-Si或BAS)玻璃粉料。在玻璃粉料中混入质量分数为40%的Al2O3陶瓷粉末,用流延法制备了低温共烧BAS/Al2O3玻璃/陶瓷复相材料。研究了烧结温度和玻璃的粒度对复相材料的烧结性能、介电性能和热稳定性的影响。结果表明:在800~900℃,材料致密化后析出钙长石晶体;球磨1h的玻璃粉料与w(Al2O3)40%混合烧结的复相材料的性能最优,850℃保温30min后,于10MHz测试,其εr=7.77,tanδ=1×10-4;扫描电镜显示其微观结构致密,有少量闭气孔。  相似文献   
12.
采用高温熔融法制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,考察不同熔制温度对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:熔制温度1 400~1 450℃,试样中存在少量未熔融的SiO2,有利于CaSiO3晶相的析出和晶粒细化,加速CBS系微晶玻璃致密化。熔制温度为1 450℃粉料,850℃烧结保温15 min所制CBS性能较优:体积密度为2.54 g.cm–3,相对介电常数为6.42,介电损耗为0.000 9。  相似文献   
13.
采用正交实验研究固含量、粘结剂和增塑剂对CBS(CaO-B2O3-SiO2)玻璃体系浆料粘度、生坯性能影响.利用STATISTICA 6.0分析表明:固含量、PVB和DBP的交互作用分别对浆料粘度和生料带的可揭膜程度影响最大,单因素及其交互作用对生坯密度均无显著影响.固含量50wt%.相对CBS玻璃粉料添加2wt%蓖麻油,7.5wt%PVB、4.5wt?P时,制备的浆料粘度为2.1 Pa.s.较适合流延,生坯体积密度达到1.6g.cm-3,且生料带较易从流延机上剥离.875℃低温烧结试样,在100Hz微波频率下测试,介电常数为6.56,介电损耗1.57×10-3.  相似文献   
14.
采用高温熔融法制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,考察不同熔制温度对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:熔制温度1 400~1 450℃,试样中存在少量未熔融的SiO2,有利于CaSiO3晶相的析出和晶粒细化,加速CBS系微晶玻璃致密化。熔制温度为1 450℃粉料,850℃烧结保温15 min所制CBS性能较优:体积密度为2.54 g.cm–3,相对介电常数为6.42,介电损耗为0.000 9。  相似文献   
15.
用熔融法制备CaO-PbO-B2O3-SiO2系玻璃,以低温共烧法制备玻璃烧结体,研究不同Al2O3含量和烧成温度对玻璃的烧结性能和电性能的影响。结果表明:随着Al2O3含量的增加,玻璃的玻璃化转变温度升高,介电常数增加,介电损耗增加;X线衍射分析(XRD)显示G1玻璃在800℃析出CaSiO3和β-SiO2;G1玻璃于725℃保温30 min烧结,于10 MHz测试,介电常数(εr)=6.1,介电损耗(tanδ)=5.9×10-4;该玻璃有较低的玻璃化转变温度(tg=697.1℃)、较差的析晶能力、较低的介电损耗,适合作为低温共烧陶瓷(LTCC)的玻璃料使用。  相似文献   
16.
氧化铝对钙硼硅基板材料的改性   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过添加Al2O3改善了钙硼硅玻璃基板材料的失透现象,研究了Al2O3对钙硼硅材料的烧结性能、相组成、线膨胀系数和介电性能的影响。结果表明:试样的晶相均为CaB2O4、α-石英和CaSiO3,添加Al2O3不能改变晶相种类。当w(Al2O3)为9%时,基础玻璃由失透变为透明;线膨胀系数降低至10.5×10–6℃–1,tanδ低于1.1×10–3,Al2O3添加前后,试样的εr变化不大(10MHz)。  相似文献   
17.
针对蒙特卡罗法(MC法)稳定性及收敛性欠佳的问题,同时考虑到敏感设备对不同类型电压暂降免疫能力不同,且节点的敏感设备运行与规划评估不同,提出了一种基于拉丁超立方采样(LHS)法的节点敏感设备暂降免疫水平评估方法。构建了短路故障随机模型,通过LHS法得到故障信息,然后进行故障仿真得到一系列暂降事件,运用所提方法评估系统中各节点的敏感设备暂降免疫水平。将暂降类型作为暂降特征量之一,以敏感设备对不同类型暂降的耐受曲线为基准进行节点暂降评估;针对节点敏感设备运行与规划两个不同的应用场景,分别给出了其对应的评估方法及流程;其中对于规划评估这一场景,为进一步反映各节点敏感设备暂降免疫能力的差异性,提出了设备免疫水平指标集。所提方法可为实际电网的敏感设备运行及规划提供参考。  相似文献   
18.
硼含量对钙硼硅系微晶玻璃性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用高温熔融法,制备了不同硼含量(w(B2O3)为30%~40%)的CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。考察硼含量对该体系微晶玻璃熔制过程中B2O3挥发率及其性能的影响。结果表明:随w(B2O3)增加B2O3挥发率增大,从4.27%增至6.91%。w(B2O3)为35%时,试样的烧结温度范围较宽,在最佳烧结温度850℃下,体积密度为2.54g/cm3;10MHz下,εr为6.42,tanδ为9×10–4;试样的εr随w(B2O3)变化不大,处于6.2~6.5,w(B2O3)为30%或40%时,tanδ显著增大至10–2量级。  相似文献   
19.
CaO-B_2O_3-SiO_2系LTCC流延生料带研制   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究了CaO-B2O3-SiO2系LTCC流延生料带的固含量对干燥收缩系数α以及生料带微观结构的影响。结果表明,生料带的α随着固含量的增加而增大,w(固含量)为40%,45%,50%和55%浆料的α分别为0.35,0.43,0.53和0.57。w(固含量)为50%的生料带上下表面颗粒分布最为均匀致密,烧成生料带的介电性能优良:εr≈6.5,tanδ<0.002(10GHz),适用于无源集成电路基片。  相似文献   
20.
研究了组分变化对CaO-B2O3-SiO2(CBS)系多元微晶玻璃微观结构、介电性能及相组成的影响.以CBS系微晶玻璃为基础配制生料带,并借助LTCC技术制备了多层微电路基片.探讨了影响LTCC多层微电路低温共烧金属化匹配的相关因素.结果表明:添加不同形态的SiO2均可有效降低微晶玻璃的相对介电常数εr岛,添加高硅氧玻...  相似文献   
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