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器件质量级微晶硅薄膜光稳定性研究 总被引:5,自引:5,他引:0
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)技术,通过改变SiH4浓度制备了一系列不同晶化率(Xc)的本征Si薄膜材料。通过测量其Raman谱和光、暗电导率(σph、σd)研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微观结构的关系,然后对样品进行老化实验,测量其光照前后的吸收系数α及量子效率、迁移率和寿命的乘积nμτ。分析其光照前后光电性能的变化规律结果表明,相变域附近的微晶硅(μc-Si:H)薄膜材料适合制备μc-Si2H太阳电池;结合退火实验的结果发现,μc-Si:H材料中的非晶成分是导致微晶材料光电特性衰退的主要原因。 相似文献
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网络向高速率和高容量不断升级,在选路过程中自适应地规避物理层损伤进而实现高质量的传输服务已成为亟待解决的问题,而物理层损伤信息的感知和保留是其中的关键。文章通过分析物理层损伤参数,建立分布式PLID(物理层损伤感知数据库)的信息表征表,借鉴流量工程数据库标准协议,扩展其中的OSPF-TE(基于流量工程开放式最短路径优先算法)协议,定义一个新的Opaque LSA(链路状态通告)类型即PLI-LSA(物理层损伤信息的LSA),实现了PLID的建立和更新。比较数据库不同更新方式的控制开销,发现采用基于阈值的更新方式较合适,可满足不同的服务质量对不同波长信道传输质量的要求。 相似文献
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采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%. 相似文献
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书刊无线胶黏订是在上世纪70年代以后逐渐流行的一种书芯订联方式.由于无线胶黏订工艺具有工序少、加工速度快生产周期短、质量稳定、劳动强度低及装订美观等特点,被越来越多的消费者和出版商所认可,在现代书刊印刷中发展迅速,80年代以后已逐步成为现代装订的主要方式. 相似文献