适应新应用的光电探测器

技术和经济推动着光电探测器的革新。技术决定着可发展的事物,而经济则同时控制着可发展的事物和发展的速度．然而,不同的市场具有不同的经济,时代不同,经济也随之发生变化,半导体和光学通信这两个市场近年来显现出衰退的迹象。尽管如此,这两个市场仍是那样的广阔,受技术革新的推动,光电探测器技术不断取得进步。     

具有偏压可调量子点的光谱自适应红外光电探测器（上）

量子点红外光电探测器的光谱响应呈现出一种与偏压有关的变化．本文介绍一种新的信号处理技术,该技术利用这种与偏压有关的光谱变化来综合处理被调到用户规定的一个宽光谱范围内的测量结果．这种技术基于两个步骤,首先,通过量子点红外光电探测器的一族偏压控制光谱(对应一组预选的偏压)的加权重叠,最恰当地逼近理想的光谱响应。其次,对要探测的物体进行多次测量(按规定的偏压,每一种偏压测量一次),然后把测量结果与同样的权重线性地结合起来．实验证明,这种技术能够产生单峰响应,在3μm—8μm光谱范围的每一个中心波长处,单峰响应都有一个可调的FWHM(小到△λ≈0．5μm)．与原始的量子点红外光电探测器的光谱分辨率相比,这样的光谱分辨率要高出3倍。     

低温光学系统和仪器X（SPIE Vol．5172）

一、低温原理与方法.1．红外多目标光谱仪的校直与性能（J．A．Connelly等）     

576×6热像仪帧频提高方法

为了提高576×6红外热像仪的帧频,分析了扫描型焦平面探测器的扫描原理,提出了3种帧频提高方法:双向扫描成像;减少帧内无效扫描像元;缩短列周期时间.其中,双向扫描成像突破了当前通常只采用正程扫描时间成像的限制,扫描摆镜正程扫描时间和回扫时间均用来成像,提高了热像仪的成像效率;减少帧内无效扫描像元则推导出了标准输出格式下的探测器最小输出列数,减少甚至消除无效列数成像;缩短列周期则阐述了降低列周期方法以直接降低帧周期成像.分析表明,3种方法可以大幅度提高576×6热像仪帧频.     

动能武器和星球大战计划

星球大战计划(即战略防御新方案SDI)是弹道导弹防御系统和空间防御系统的总称。该计划1983年3月23日由美国总统里根首先提出,1983年5月25日美国政府发起了对它的广泛研究,1984年10月被正式批准。它是在早先的反导和反卫星的计划和技术上发展起来的。它由五部分组成: 1.全球空间和地基监视系统、预警系统和识别系统。 2.定向能武器 3.动能武器 4.系统方案和管理 5.支援性计划其预算经费如下:(亿美元)     

新型肉品着色剂亚硝基血红蛋白的应用研究

将亚硝基血红蛋白应用于灌肠加工,代替亚硝酸钠作为肉制品着色剂,对其用量与助色剂搭配、感官评定、降硝增铁效果进行了研究。研究表明,亚硝基血红蛋白用量6000mg/kg、抗坏血酸500mg/kg、烟酰胺300mg/kg为较佳效果组合,产品感官与对照组无明显区别,亚硝基残留仅为对照组的九分之一,Fe2+含量增加41%。      

基于LabVIEW的汽车仪表步进电机测试系统

汽车仪表指针大多采用步进电机驱动。为了确保生产的电机质量,需要一套性能良好的测试设备。为此,设计了一套步进电机测试系统。针对汽车仪表步进电机测试的要求,引入了基于LabVIEW的虚拟仪器技术。在LabVIEW平台下开发的系统具有开发周期短、功能灵活、维护费用低等优势。本系统实现了对步进电机多种模式的控制,能够实时采集、存储电机绕组的电压和电流信号,并对数据分析处理以判断电机运转状态。实验结果表明该系统性能良好,可以用于步进电机测试。     

超深高含硫气藏气—液硫两相渗流实验

超深高含硫气藏开发过程中会在储层中出现气—液硫同流的现象,其对气井产能的影响目前还缺乏实验数据的验证。为此,研制了一套适用于高温高压条件下气—液硫两相驱替实时测试的装置,并制订了相应的测试流程,选取四川盆地元坝气田的取样岩心开展气—液硫两相驱替实验,并采用非稳态法计算气、液硫两相相对渗透率,得到气—液硫相对渗透率曲线,进而开展气—液硫两相渗流规律的定量化研究。结果表明:(1)气、液硫两相共渗区较窄,当液硫临界饱和度高于40%时,井筒附近的液硫饱和度达到液硫临界流动饱和度,从而阻碍井筒附近气体的流动;(2)围压的变化会引起气—液硫相对渗透率曲线的变化,当围压增大时,气相相对渗透率及液硫相对渗透率均下降;(3)随着驱替压差增大,气体流速加快,携硫能力增强,气相相对渗透率及液硫相对渗透率均有所上升。结论认为,气—液硫两相相对渗透率曲线的获得,实现了对气—液硫两相渗流规律的定量化研究,可用于超深含硫气井的产能评价。     

固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质

本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触,并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时,其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下,异质结电流是温度倒数的指数函数,通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现,固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．