Cr∶Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的自旋极化MS-X_α计算

本文采用自旋极化MS-X_α方法计算了Cr:Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的电子结构,给出了T_d群和C_(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ_(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

掺铬镁橄榄石的LIF光谱研究

本文用LIF方法研究了铬镁橄榄石(Cr∶Mg_2SiO_4)的室温电子辐射谱。该辐射谱有两个辐射带(S带和L带),其中S带来自Cr~(3+)离子的辐射,而L带则对应于Cr~(4+)的辐射。     

导向温梯法生长优质兰宝石单晶

评述了各种生长兰宝石晶体的工艺技术,着重指出采用Czochralski技术生长兰宝石晶体过程中存在的坩埚中熔体对流效应对晶体质量的严重影响,提出了生长兰宝石晶体的导向温梯法。 采用导向温梯法生长兰宝石晶体所得结果表明,其位错密度、光学均匀性、应力和散射中心等品质均优于Verneuil和Czochralski技术生长的晶体。还讨论了选用该法生长大尺寸、高质量兰宝石单晶的优缺点。     

短波长可调谐激光晶体Ce∶YAlO_3~①

用引上法生长了光学质量良好的Ce:YAlO_3晶体.本文介绍了其生长工艺和其吸收光谱,激发光谱及发光光谱的测试结果,认为该晶体很有希望实现短波长可调谐激光输出.     

感应加热温场上移法—一种新的梯度法晶体生长技术

介绍了一种新的温度梯度法晶体生长技术,称为“感应加热温场上移法”(induction heatingand thermal field up-shift method,ITUM),该法是用钼坩埚在氢气气氛下直接感应加热,使其中的原料熔化。保持坩埚不动,通过线圈的上移,实现熔体的凝固结晶。已用这种方法成功地长出光学质量良好的掺钛氧化铝可调谐激光晶体。本文介绍这种方法的工艺装置和生长过程,给出初步的激光实验和晶体质量的检测数据:对于从熔体中生长高温晶体具有重要的意义。