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1.
盲均衡技术是一种新兴的均衡技术,不需要发送训练序列就能在接收端恢复出发送序列。本文着重介绍了盲均衡技术的原理及其算法,并对盲均衡技术的新研究进行了展望。盲均衡技术能有效地克服码间干扰,对于提高通信质量具有十分重要的意义。 相似文献
2.
3.
互连电缆电磁泄漏抑制方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对任意角度入射的平面波对互连电缆的耦合干扰特性作了分析,确定了空间位置等因素对场-线耦合定量的计算,并编制程序来对所推导的场线耦合公式进行仿真,对分析现代电子系统在复杂电磁环境下的响成具有重要的理论和工程意义。将仿真结果与以往文献结果对比,吻合度较好。 相似文献
4.
研究了结构偏心和速度脉冲强震双重不利因素对新型重力柱-核心筒结构体系地震响应的影响。选取3条速度脉冲和对应的3条非速度脉冲地震记录作为地震动输入,采用CANNY软件对偏心重力柱-核心筒结构进行了非线性动力时程分析,研究速度脉冲效应和偏心率对弹塑性地震响应的影响规律。研究结果表明,速度脉冲地震下的结构层间剪力、层间位移、层间扭矩和层间扭转角均明显高于非速度脉冲地震下的对应值。偏心率对结构弹塑性抗震需求影响显著。顶点位移、层间位移角、层间扭矩和层间扭转角随着偏心率的增大而增大,层间剪力则呈现出减小的趋势。因此,在新型重力柱-核心筒结构设计中,应考虑速度脉冲地震和偏心率的影响。 相似文献
5.
金属表面处理过程排出的酸洗废水经处理产生的酸洗污泥,若是处理不合理就会引发极其严重的环境污染问题,经过热解处理后可以得到含有碳和重金属的固体产物.以热解酸洗污泥为还原剂,考察其脱硝性能以及反应温度、氧气浓度、反应时间对热解酸洗污泥脱硝效率的影响.结果 表明,该热解酸洗污泥有良好的脱硝性能,在反应温度为800℃,氧气浓度为1%的条件下,脱硝效率可达95.093%,可以作为脱除NOx的还原剂.热解酸洗污泥的脱硝效率随着温度的升高和氧气浓度的增加而降低,并且随着时间的推移,脱硝效率下降较快. 相似文献
6.
综述不同的配电系统接地型式及其适用范围和优缺点,并介绍在不同接地型式下正确安装使用漏电保护装置的必要性,使漏电保护装置在不同的配电系统接地型式中能够有效和正确安装使用。 相似文献
7.
松辽盆地深层断裂体系对火山岩成因和火山岩相带的控制:以徐深地区为例 总被引:4,自引:1,他引:4
松辽盆地深层包括古中央隆起带、东部断陷带和西部断陷带3个一级构造单元,每个构造单
元又可划分为断阶带、洼槽带、斜坡带和单元间的隆起带,每个构造带由受断裂控制的多个
断背斜、断块组成;深层断裂体系由基底断裂、同沉积断层及局部小断裂构成。指出各构造
单元具有火山活动与构造运动双重成因机制,断裂与火山活动共同控制了深层的构造格局及
地层发育,也控制了火山岩相的类型与分布;断裂活动引起的或与断裂活动伴生的火山活动
导致火山物质对盆地的充填、改造或塑造盆地次级单元构造样式和盆地构造格局,使得不同
构造部位地层发育具有明显的差异性;火山岩的特征表现为高位喷发,低位填充的特征,沿
火山口一带厚度较大。 相似文献
8.
目前在确定低影响开发(LID)措施的设计深度以及对径流削减能力的方法时,一般借鉴城市排水规范中的设计暴雨法,暴雨强度采用整个历时上的平均值,但其与实际暴雨分布有一定差别。针对不同暴雨分布对低影响开发措施的两个关键指标,首先分析了雨强分布对LID设施蓄水深度的影响,然后针对一定设计标准,研究了不同暴雨分布下,LID设施削减雨水径流的效果。结果表明,针对典型设计情况,暴雨分布对于LID设施蓄水设计深度影响不大,相对差别在15%左右。而针对一定设计,暴雨分布对于计算径流削减效果影响较大,在降雨分布十分不均的情况下可达21.5%,暴雨分布越不均匀差异越显著。在设计LID设施时可以采用平均雨强,但是在确定对变化显著的极端暴雨的削减效果时,不宜采用平均雨强,应尽可能采用接近实际暴雨过程的计算方法。 相似文献
9.
陕西省榆林地区拟建50 MW容量光伏电站,该光伏电站采用180 W(36)型单晶硅光伏电池和220 W(29)型多晶硅光伏电池作为组件,光伏组件架构采用固定式角度安装,单元方阵的最佳方位角确定为0°,最佳倾角选定35°、行距5 m。对电站发电量进行估算:将电站所在地纬度和其他影响发电量的因素设置为独立参数,确定相应纬度辐射量,然后根据其他因素得到综合效率系数,最后估算出年上网发电量。该估算方法可应用于光伏电站工程项目设计。 相似文献
10.
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500 μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA,在直径500 μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级。 相似文献