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为探讨能否用纯电瓷废料合成莫来石陶瓷,本文对比了以电瓷废料细粉为原料,再添加部分Al_2O_3细粉和以纯电瓷废料细粉为原料合成莫来石陶瓷。探讨了原料配比和烧结温度对合成的莫来石陶瓷的结构和性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)分别研究了莫来石的物相组成与显微结构。研究表明:随着烧成温度升高,莫来石的含量增加,体积密度增大;由于原料采用电瓷废料细粉,烧结活性较大,有利于烧结的进行,并提高烧结密度;采用纯电瓷废料合成的莫来石陶瓷的体积密度和耐压强度最高,气孔率最小,综合性能最优。 相似文献
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随着碳热还原反应的进行,B2O3被C还原生成B2O2,B2O2进一步被碳还原生成B4C.碳热还原TiO2和B2O3合成TiB2的反应机理如下在1200~1300℃温度下,TiO2被C还原成中间产物Ti3O5;在1250~1300℃温度范围,B2O3被C还原生成中间气相产物B2O2;当还原反应温度达到1300℃以上时,中间产物Ti3O5与B2O2一起被C还原生成TiB2. 相似文献
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以煤矸石为原料,分别引入α-Al2 O3、工业氧化铝、氢氧化铝调整原料配比,以干压成型法制备莫来石陶瓷,研究了铝源和煅烧温度对莫来石陶瓷性能的影响.研究表明:铝硅比对莫来石生成量及制品比热容具有重要作用;随着煅烧温度的提高,试样致密化程度高,力学强度增大,比热容升高;适当延长保温时间会促进晶体发育.以氢氧化铝为铝源,铝... 相似文献
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以Zn(NO3)2·6H2O,Al(NO3)3·9H2O为原料,柠檬酸为络合剂,采用sol-gel法制备了尖晶石型ZnAl2O4粉体.得到干凝胶后在不同温度下(600~ 800℃)进行热处理.探究pH值对凝胶的影响以及煅烧温度对粉体相组成和显微结构的影响.用热分析,X射线衍射分析(XRD),扫描电镜(SEM)等手段对制备的锌铝尖晶石粉体进行了表征.结果表明:当煅烧温度为600℃时,ZnAl2O4开始生成,随着煅烧温度的提高,ZnAl2O4晶粒逐渐长大、发育完整,其他物相含量减少,粉体趋于单一尖晶石晶体结构;随着溶液pH值的增加,ZnO含量增加,ZnAl2O4含量减少,当pH值为3时,得到纯度较高的ZnAl2O4粉体. 相似文献
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以TiSi2作为烧结助剂,采用热压烧结制备了TiB2陶瓷.对烧结试样进行了XRD、SEM与EDS分析,对TiB2-x% TiSi2系统进行了热力学计算分析,探讨了TiSi2促进TiB2陶瓷低温烧结致密的机理.结果表明:添加6.0wt%TiSi2作为烧结助剂,可以使TiB2陶瓷在1650℃热压烧结致密.TiSi2促进TiB2陶瓷烧结致密机理为:一是TiSi2熔点低于烧结温度,通过液相传质提高了烧结速率;二是通过高温烧结反应,形成了高熔点的Ti5Si3相以及SiO2玻璃相,SiO2以玻璃相的形式填充气孔并促进液相传质,使坯体致密. 相似文献
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半导体光催化技术可以将太阳能转换为化学能,在染料降解方面具有广阔的应用前景。g-C3N4具有独特的电子能带结构、良好的热稳定性和化学稳定性,铁氧体尖晶石是一种新型的非均相光fenton试剂,两种材料展示染料降解方面的应用前景。然而比表面积较小、光生电子和空穴易复合等缺点严重限制其光催化活性。从光催化机理出发,介绍近年来国内外关于g-C3N4和铁氧体尖晶石方面的研究,简要叙述g-C3N4的结构和制备过程,以及g-C3N4复合铁氧体尖晶石后的光催化性能和磁控分离循环使用性能的变化,并对其未来的发展趋势进行展望。 相似文献
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TiO2-B2O3-C系统反应热力学初步探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
采用物质吉布斯自由能函数法,对TiO2-B2O3-C系进行了热力学分析.热力学计算结果表明:在采用碳热还原法还原TiO2时, TiO2是按照以下顺序依次被还原:TiO2→Ti4O7→Ti3O5→Ti2O3→TiO→Ti;采用碳热还原法合成TiB2的反应模型为:随着温度逐渐升高,TinO2n-1(n=2~4)被还原为TiO,B2O3被碳还原生成单质B和B4C,随后TiO与B或B4C 进一步反应生成TiB2;采用碳热还原法合成 TiB2时,硼源的选择对于合成温度的高低有直接影响,而采用B2O3作为合成TiB2的硼源,其原料来源充足,合成温度适中,适用于采用此法进行大规模工业生产;为降低反应温度,提高反应的转化率,缩短反应进程,应采用抽真空或在稀有气体气氛下进行,增大稀有气体流速,定时对炉内抽真空换气,以降低炉内CO分压PCO的工艺措施. 相似文献
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TiB2材料氧化的热力学分析 总被引:2,自引:1,他引:1
采用物质吉布斯自由能函数法,对TiB2材料的氧化进行了热力学分析.热力学计算结果表明: TiB2材料从室温到高温均可以与氧发生反应生成TiO2;当温度T<1450 K时,氧化产物为TiO2固相和B2O3液相,在氧化行为上表现为氧化增重;当温度T>1450 K时,由于B2O3蒸气挥发,在材料中留下孔隙,增加了TiB2材料与氧气的接触面积,TiB2材料的氧化进程加速,此时,TiB2材料的抗氧化性逐渐下降;在PB2O3=101325 Pa的条件下,TiB2材料由"钝化氧化"向"活化氧化"的转变条件为T=1450 K;在氧化性气氛下,氧化反应的产物为TiO2,而随着氧分压降低,Ti4O7、Ti3O5、Ti2O3、TiO等氧化产物均有可能出现,尤其是在氧分压很低的情况下,TiO生成的可能性增大. 相似文献