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121.
采用Fe(NO3)3·9H2O晶体为原料,配成一定浓度Fe(NO3)3溶液,并在溶液中加入少量氨水控制其pH值为2~2.5,通过喷雾干燥方法和球磨制备出纳米级氧化铁粉末.采用XRD,SEM,TEM对粉末相组成、晶粒尺寸、形貌和粒度进行表征.结果表明,通过喷雾干燥方法制备出来的粉末为非晶态,粉末煅烧后得到纳米晶a-Fe2O3,粉末的形貌为壳状或半片状,但粒度较大.通过球磨使粉末的粒度细化到20~60 nm.同时本文也研究了煅烧温度和时间对粉末晶粒大小的影响,提高煅烧温度对粉末晶粒长大影响较大,而延长煅烧时间对粉末晶粒长大几乎无影响.  相似文献   
122.
给出了硫化矿Eh-pH图形数据库系统的设计思路,并以VisualBasic语言为应用程序开发软件,开发了基于Windows操作平台的、通用的、开放的硫化矿Eh-pH图形数据库系统。以PbS-H2O体系为例,给出了硫化矿Eh-pH图形数据库系统的具体应用。  相似文献   
123.
超细/纳米颗粒在水介质中的分散行为   总被引:15,自引:0,他引:15  
在溶液电化学理论的基础上, 结合颗粒离子氛的模型, 分析了超细/纳米颗粒在水介质中的分散行为, 并从热力学和动力学角度, 注重解释了超细/ 纳米颗粒在水介质中的静电位阻、空间位阻、静电-空间位阻协同作用的机制。为今后超细/纳米颗粒的分散研究和应用提供了理论依据。  相似文献   
124.
采用250 kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955%的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试.研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,钨棒端面的边缘最先熔化;经电子束熔炼后,钨棒的整体纯度显著提高,达到了99.975%,间隙杂质O和C的脱除率分别达到55.5%和45.8%;非间隙杂质的蒸汽压与脱除率密切相关,高蒸汽压的杂质元素Cd、As、K、Mg脱除较为完全,其脱除率分别为95%、90%、75%和71.4%,在钨棒中含量分别降至1、1、5和10μg/g.  相似文献   
125.
Au80Sn20合金焊料的制备及应用研究进展   总被引:1,自引:1,他引:1  
含有80%金和20%锡(质量分数)的Au80Sn20合金焊料因其高熔点及免助焊剂等性能而被广泛应用于光电子封装和微电子封装领域。综述了Au80Sn20合金焊料的性能,分析了金锡叠层法、熔铸法、电镀沉积法和机械合金化法制备Au80Sn20合金焊料的工艺原理和特点,介绍了Au80Sn20合金焊料在气密封盖、管壳焊接及芯片封装等领域的焊接技术和应用情况,最后指出了Au80Sn20合金焊料的研究方向和应用前景。  相似文献   
126.
综述了钨晶须/纳米线的场发射性能、光电性能、力学性能等方面的研究,介绍了钨晶须/纳米线的制备方法,分析了不同制备方法下钨晶须/纳米线的结构特点及性能,指出了当前钨晶须/纳米线研究面临的问题,并展望了其应用前景。  相似文献   
127.
研究了钨晶须的制备工艺,并分析了其生长机理.采用X射线衍射、扫描电镜、能谱分析、透射电镜对制备的钨晶须进行物相、形貌、成分、微观结构的分析和表征.研究表明:钨晶须长度大致在1~10μm,直径在1μm以下,部分达到纳米级;晶须为单晶bcc结构,生长方向为110;钨晶须形成过程为钨粉及其氧化产物与水汽反应生成气相水合物WO2(OH)2,遇氢气还原后形核并沉积,进而定向生长为晶须结构,钨晶须的生成遵循VS机理.  相似文献   
128.
采用放电等离子烧结方法(SPS),制备体积分数5%TiB_2的等摩尔AlCoCrFeNi高熵合金基复合材料。通过密度测试、X射线衍射、扫描电镜及力学性能测试等方法,研究SPS烧结温度及烧结压力对复合材料的微结构演变与力学性能影响。结果表明:随着SPS烧结温度及烧结压力的增加,复合材料的硬度及抗压强度得到明显提高。在1200℃/30MPa进行SPS烧结后,复合材料的致密度达99.6%,抗压强度达2416MPa,屈服强度达1474MPa,硬度超过470HB。烧结过程中,复合材料的基体高熵合金发生相变,1200℃及30~45MPa烧结时,复合材料由BCC,B_2,FCC,σ及TiB_2相组成。  相似文献   
129.
随着公众环保意识的增强,含铅焊料的发展和应用受到了极大的限制,研制新型的、环境友好的无铅焊料来取代传统的锡铅焊料成为近年来研究的热点,而添加微量元素合金化以获得性能优异的无铅焊料尤其受到研究者的关注。本文系统地综述了添加微量稀土元素对无铅焊料物理化学性能、显微组织、力学性能、电迁移及锡晶须生长等的影响,并对稀土元素在无铅焊料中的应用及发展趋势进行了展望。  相似文献   
130.
对A,B2种试样作了渗硅处理.在A样的摩擦磨损试验中,其线性磨损由原来的42μm/次降低到17.56μm/次,摩擦因数较稳定,均为0.36,并且摩擦磨损曲线的线型较好.B样渗硅后也比渗硅前的摩擦磨损曲线线型好,同时解决了摩擦时的振动问题,但随试样中所生成SiC含量的增加,其摩擦因数逐渐降低(由0.40→0.34→0.30),线性磨损量增大(由(2.0/1.4)μm→(21.21/23.12)μm→(69.33/52.85)μm).同时分析了摩擦磨损的机理,认为其摩擦磨损性能一方面受A,B 2种试样的结构性能影响;另一方面也取决于渗硅后所生成SiC的性能及结构.  相似文献   
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