Structural and optical properties of polycrystalline CdS thin films deposited by electron beam evaporation

Highly crystalline and transparent cadmium sulphide(CdS) films were deposited on glass substrate by electron beam evaporation technique.The structural and optical properties of the films were investigated.The X-ray diffraction analysis revealed that the CdS films have a hexagonal structure and exhibit preferred orientation along the(002) plane.Meanwhile,the crystalline quality of samples increased first and then decreased as the substrate temperature improved,which is attributed to the variation in film thickness.UV-vis spectra of CdS films indicate that the absorption edge becomes steeper and the band gap present fluctuation changes in the range of 2.389-2.448 eV as the substrate temperature increased.The photoluminescence peak of the CdS films was found to be broadened seriously and there only emerges a red emission band at 1.60 eV.The above results were analyzed and discussed.     

利用多晶硅副产物制备氯化钡的研究

随着中国多晶硅产业的发展,多晶硅副产物的环境污染问题日益突出,将多晶硅副产物无害化和资源化迫在眉捷.研究了利用多晶硅副产物制备氯化钡的影响因素,得到优化工艺条件.实验结果表明:利用多晶硅副产物制备氯化钡是可行的;该方法有助于解决多晶硅副产物的环境污染问题,可大幅度降低多晶硅的生产成本,极大地提高企业的经济效益,对发展中国多晶硅和太阳能产业具有十分重要的意义.     

碳酰肼及其在含能材料中的应用

论述了磷酰肼的制备方法及其在含能材料中的应用，给出了碳酰肼高氯酸盐系列配合物的性能及其用作钝感起爆药的可能性，展望了碳酰肼在含能材料领域的研究发展方向。     

聚氯乙烯（PVC）的阻燃与消烟

本文介绍并讨论了聚氯乙烯（PVC）的发烟机理及抑烟机理,并综述了近年来国内外PVC阻燃抑烟技术的研究及应用进展。     

富铅配料的PbI2晶体生长与性能表征

以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400～1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm,对应能隙为2.27eV.采用上述晶体制备的PbI2探测器在室温下对241Am 59.5keV γ射线敏感,能谱半高宽(FWHM)为26.7keV.     

磷钼酸钙阻燃抑烟剂的制备和性能研究

采用MoO3、磷酸、氢氧化钙制得磷钼酸钙,利用XRD、IR、DSC和TG对其进行了表征;将磷钼酸钙作为阻燃抑烟剂加入到PVC中,并与常用的阻燃抑烟剂Sb2O3、MoO3、Al(OH)3等对照。结果表明,加入了磷钼酸钙的PVC材料的氧指数达到27．1％,有焰燃烧的烟密度为297,无焰燃烧的烟密度为351,具有良好的阻燃抑烟性能,且对PVC的力学性能影响较小。     

电子束蒸发制备PbI_2薄膜的光电性质研究

采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜,研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明,不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征,但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高,PbI2薄膜的紫外-可见透过谱透过性能提高,光学带隙由室温时的2.33 eV增大到200℃时的2.44 eV。同时发现,不同源-衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同。光致发光谱(PL)测试表明,薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁,其PL发光峰的强度和展宽随源-衬间距的增大有明显变化。论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应,发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源-衬间距有密切关系,光电导率的数量级约在10-8~10-9Ω-1.cm-1之间。     

磷钼酸铵的制备及性能

对新型阻燃抑烟剂——磷钼酸铵的制备和性能进行了研究;利用XRD、IR、DSC和TG对所制备的磷钼酸铵进行了表征,为磷钼酸铵的应用提供了理论基础。将磷钼酸铵加入PVC中,并与常用的阻燃抑烟剂Sb2O3、MoO3、Al(OH)3等进行对比,通过对阻燃材料氧指数和烟密度的测试表明,磷钼酸铵具有良好的阻燃抑烟性能;力学性能测试表明,磷钼酸铵与高分子材料具有良好相容性,是一种性能出众的新型阻燃抑烟剂,具有广阔的应用前景。     

电子束蒸发法制备MoO3薄膜及其性质研究

采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜.X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿<010>晶向择优取向生长.随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大.此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动.扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征,退火后晶粒大小的分布趋于均匀.紫外-...     

近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究

采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使（001）晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为（001）晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时（001）晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。