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CdTe量子点表面包覆双硫腙,由于双硫腙与CdTe量子点之间发生荧光共振能量转移使得CdTe量子点荧光猝灭,铜的加入与双硫腙形成双齿螯合物,使得CdTe量子点荧光能量转移被阻止,CdTe量子点荧光强度得以恢复,由此建立了一种荧光开关测定痕量铜的新方法。在最佳条件下,0.5 mL双硫腙@CdTe 量子点(Dit@CdTe),1.5 mL pH 7.5的Tris-HCl缓冲溶液中加入不同浓度的Cu2+,放置10 min,于激发波长/发射波长为431 nm/591 nm下进行荧光测定,荧光增强强度与Cu2+浓度在0.01~10.0 μmol/L范围内呈良好线性关系,相关系数为0.990 3,检出限为0.004 μmol/L。方法用于实际水样中铜的测定,相对标准偏差小于6.8%,回收率在97%~105%之间,并且测定结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定结果一致。 相似文献
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制备了钨铜酸锶掺杂PZT三元体系压电陶瓷,测量了不同烧结温度和不同组成的材料的压电常数值,以压电常数为依据,确定了不同组成的材料的最优烧结温度及在最优烧结温度下材料的压电常数.研究了钨铜酸锶的掺杂量对材料机电耦合系数和机械品质因数的影响.并对不同组成的材料进行了XRD和SEM分析,研究了材料的物相组成和微观结构对材料性能的影响.讨论了Sr2+,W6+,Cu2+离子对PZT压电陶瓷进行改性的作用机理.实验结果表明,钨铜酸锶可对PZT材料进行较好的改性作用,使材料的压电常数提高到570pC/N. 相似文献
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采用传统固相烧结法制备Pb0.94Sr0.06(Zr0.53Ti0.47)O3+(Ni2O3+Cr2O3)0.1wt%+x wt%CeO2(简称PCrNi-4)压电陶瓷,其中x取值为0,0.1,0.3和0.5,研究了烧结温度对陶瓷样品的相结构、显微结构、压电及介电性能。结果标明:所有样品相结构均为三方相与四方向共存。当烧结温度为1280℃,CeO2掺杂量为0.3 wt%时,陶瓷的晶粒大小均匀,致密性良好,具有良好的压电及介电性能(d33=375 pC/N,Kp=0.70115,εT33=1400,tgδ=0.00238)。 相似文献
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以普通硅酸盐水泥为基体材料, 以碳纤维为功能组分, 采用压力成型法制备了碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC) 。用SEM 和孔结构分析仪对复合材料的微观结构进行了分析, 同时研究了其机敏特性。结果表明:较大成型压力制备的复合材料孔隙率明显低于较小成型压力制备的复合材料。不同成型压力制备的复合材料电阻率均随温度升高而呈先增大后减小的趋势。较小成型压力制备的CFRC , 其临界温度为75~100 ℃; 较大成型压力制备的CFRC , 其临界温度为100~120 ℃。循环载荷下, 碳纤维水泥基复合材料电阻的相对变化与载荷之间呈现明显的一一对应关系, 较大成型压力制备的CFRC 在每个循环过程中电阻相对变化的幅度明显大于较小成型压力制备的CFRC , 更适合应用于结构的实时、动态的健康监测和损伤评估。 相似文献
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石墨矿尾砂作承重烧结砖的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
石墨是化学和电器工业必不可少的原材料 ,同时也在国防工业和高科技产业中发挥着不可替代的重要作用。然而 ,从石墨矿中选取石墨后留下尾砂 90 %以上 ,不仅占用了大量的土地 ,而且还严重污染了当地的生态环境。利用石墨矿尾砂制新型墙体材料是大量消化尾砂、变废为宝、化害为利、节约耕地、造福人类的有效途径 ,而且符合国家禁、限制用粘土砖 ,鼓励用工业废渣为原料生产墙体材料的墙改政策。在对石墨矿尾砂的组成和性能全面了解的基础上 ,进行了利用石墨矿尾砂作承重烧结砖的研究 ,研制出符合国家标准的承重烧结砖 ,并正准备实现工业化生产… 相似文献
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化学镀镍前处理工艺中的粗化工艺在化学镀镍过程中具有重要作用。研究了粗化方式对PZT陶瓷表面化学镀镍层性能的影响以确定锆钛酸铅(PZT)陶瓷化学镀镍的最佳化学粗化工艺。实验以PZT陶瓷为基体,采用5种粗化方式进行粗化处理,在低温碱性镀液中施镀,获得Ni-P合金镀层。通过镀层外观(完整度、均匀度、光亮度)检测,镀层与基体间结合力、镀速、镀层耐腐蚀性、表面形貌(SEM)、元素组成以及物相结构(XRD)测试,对5种粗化方式进行了比较。结果表明,氢氧化钠加乙二胺(NaOH-C2H8N2)体系是最适合PZT陶瓷化学镀镍的化学粗化工艺。粗化工艺配方为质量分数30%的NaOH,时间30min,温度30℃,添加30mL/L的C2H8N2。 相似文献
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