Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．     

纳米尺度MOSFETs中低场迁移率及输运机理质变研究

本文利用流量散射方法研究了纳米尺度MOSFETs中载流子的输运特性,重点分析了低场迁移率和输运机理质变。针对不同器件结构的MOSFETs,我们给出了一个相同的闭合形式的低场迁移率表达式,它对于漂移扩散输运和准弹道输运都是有效的。基于实验测试结果,我们首先提取了长沟低场迁移率和低场平均自由程,进而从实验和理论上分析了载流子输运机理质变。我们发现,尽管MOSFET中迁移率随沟长缩小而降低,但是低场平均自由程几乎是个常量,它可以作为器件是否实现准弹道输运的尺度判据,并有效地表征载流子的输运机理从漂移扩散输运向准弹道输运的质变。     

延迟反馈法控制GaAs/AlGaAs中的混沌

本文采用理论模型研究了GaAs/AlGaAs 异质结中的非线性行为。在外加电场和磁场的共同作用下系统可以展现出混沌行为。我们采用延迟反馈法控制镶嵌在混沌吸引子中的不稳定周期。随着反馈强度和反馈时间的变化,系统发生一系列的分叉行为,表明不稳定周期轨道可以被稳定控制住。特别是随着反馈的加入也会导致系统走向新的混沌状态。     

FGD通用型反射式光电传感器

本产品系反射式光电传感器,体积小、重量轻、性能可靠、结构简单、使用方便,是一种理想的非接触检测元件。本产品用途广泛,凡是被测物能使反射光强度发生变化,就能被检测到。主要用作自动控制系统的无触点开关和自动检测系统的传感元件。1 产品特点 1)本产品采用集成电路。光源和光敏元件接合为一体,安装使用十分方便。 2)本产品可对各种本底颜色上的黑白色标进行检测。     

基于知识图谱的多特征融合谣言检测方法

为了解决谣言检测中由于缺乏外部知识而导致模型难以感知内隐信息,进而限制了模型挖掘深层信息的能力这个问题,提出了基于知识图谱的多特征融合谣言检测方法（KGMRD）。首先,对于每个事件,将帖子和评论共同构建为一个文本序列,并利用分类器从中提取其中的情感特征,利用ConceptNet基于文本构造其知识图谱,将知识图谱中的实体表示利用注意力机制与文本的语义特征进行聚合,进而得到增强的语义特征表示;其次,在传播结构方面：对于每个事件,基于帖子的传播转发关系构建传播结构图,使用DropEdge对传播结构图进行剪枝,从而得到更有效的传播结构特征;最后,将得到的特征进行融合处理得到一个新的表示。在Weibo、Twitter15和Twitter16 三个真实数据集上,使用SVM-RBF等七个模型作为基线进行了对比实验。实验结果表明：对比当前效果最好的基线,提出的KGMRD方法在Weibo数据集的Acc指标提升了1.1%;在Twitter15和Twitter16数据集的Acc指标上提升了2.2%,实验证明提出的KGMRD方法是合理的、有效的。     

一种多信道条件下的光通信编码方案研究

现有的光通信编码方案仅在加权高斯白噪声信道等单信道条件下进行性能分析,未构建多信道模型,导致性能分析结果与实际的编码方案性能误差较大,因此,研究多信道条件下的光通信编码方案性能分析方案.首先建立光通信编码多信道模型,分析基带信息的处理过程,计算光源辐射角的辐射强度得到信道传输的共有模式,在编码长度类型不同的情况下,计算...     

50nm SOI-DTMOS器件的性能

利用二维器件模拟软件ISE对50nm沟道长度下SOI-DTMOS器件性能进行了研究,并与常规结构的SOI器件作了比较.结果表明,在50nm沟长下,SOI-DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件.SOI-DTMOS器件具有更好的亚阈值特性,其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小2～3个数量级,从而使其具有更低的静态功耗.同时,SOI-DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度,并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应、DIBL及SCE效应,从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能.对SOI-DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质,同时也指出了进一步研究的方向.     

亚100nm SOI器件的结构优化分析

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件     

近代粘胶纤维生产新技术

在化纤发展史上,粘胶纤维历史最长,纺织用纤维中它曾作为主要的化纤原料。随着合纤的兴起,以及粘胶纤维生产尚存在对     

SOI MOSFET的失真行为

采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究，发现随着沟道长度的减小失真行为变坏，且RC SOI器件较FD器件具有更好的失真行为．同时，从实验数据可以看出，不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏．该结果可以为低失真混合信号集成系统的设计提高指导方向．