立方氮化硼（c－BN）膜的制备、性能及应用

本文综合分析了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）膜的制备方法，介绍了ｃ－ＢＮ膜的结构及其机械、电学、光学和热学性能。最后总结了ｃ－ＢＮ膜在机械和电子领域的应用概况。     

基于经验模态分解的多通道有源噪声控制

为了提高有源噪声控制系统的降噪效果,提出了基于经验模态分解的多通道有源噪声控制系统。该系统首先采用经验模态分解（Empirical Mode Decomposition,简称EMD）方法对多个噪声源信号分别进行自适应分解,并对分解后的每个信号各个IMF（Intrinsic Mode Function,简称IMF）分量的响度分别进行计算,然后根据各个分量的响度大小进行残差滤波器的设计。与基于A计权曲线设计的残差滤波器相比,该方法所设计滤波器能更好地抑制响度较小的信号频率成分。对车内噪声进行测试并对双通道有源控制系统的降噪效果进行了仿真,结果表明,本文所提出的控制系统比传统滤波-X LMS方法和采用基于A计权残差滤波器系统的主观降噪效果有所改善。     

射频—直流等离子体增强化学气相沉积设备的研制

综合利用射频和直流辉光放电的特点研制成功射频－直流等离子化学气相沉积设备。成功地用该设备制备出类金刚石薄膜。类金钢石薄膜的沉积速率随极板负偏压、气体工作压力的增加而增大。     

载银沸石抗菌剂的制备及其抗菌性能

本文通过离子交换法制备了抗菌性能良好的载银沸石抗菌剂,研究了制备工艺对抗菌剂载银量(CAg)及抗菌性能的影响.结果表明:AgNO3浓度对CAg的影响十分显著,随AgNO3浓度的增加CAg呈线性增加;反应温度对CAg也有较大影响,在50℃时CAg达到最大值;pH值和反应时间对CAg的影响不大,pH值从3增大到8,CAg仅增加0.21%,反应时间从1小时延长到8小时,CAg仅增加0.2%.制备工艺对抗菌性能的影响主要是由其对CAg的影响所引起的,增加体系的AgNO3浓度可明显提高抗菌剂的抗菌活性,pH值在3～8之间变化对抗菌性能没有明显影响.     

类金刚石薄膜的慢正电子分析

采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜,用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布,并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明,单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度,类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布,薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层,而膜一基之间存在一很宽的界面层,界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低,到达薄膜心部后,缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C₂H₂含量的升高而单调增大,但C₂H₂含量对界面层宽度没有影响．     

外腔半导体激光器阵列波长稳定的实验研究

自由运行的半导体激光器列阵输出激光谱线较宽、中心波长易漂移.为此,本文采用体全息光栅(VBG)构成外腔半导体激光器阵列(EcLD)系统,利用体光栅能够稳定波长、压窄线宽的特点,从而克服上述缺点.实验表明:采用了VBG外腔反馈后,在最好的情况下,LDA的输出光谱宽度从自由运行时的2.3 nm压窄到了O.96 nm;在测试的环境温度变化范围内(14～3l℃),LDA的峰值波长稳定在体光栅布拉格波长808 nm处,输出光的线宽维持在1.14 nm之下;并且,在测试的偏置电流变化范围内(7-13A)峰值波长和谱宽无明显变化.     

LED诱导与CCD采集的基因芯片扫描仪设计

针对激光共聚焦逐点扫描速度较慢,以及采用高压氙气灯加冷却型CCD方式照明光源寿命短的问题,提出采用大功率LED诱导和冷却型CCD采集的基因芯片检测新方法。由于发射荧光的强度十分微弱,极易被LED杂散光淹没,本文通过光照入口设计、消光暗室和光阑相结合的方案解决了光路中的杂散光问题。所设计的扫描仪可以检测出浓度为0.005μmol/L的荧光溶液,扫描基因芯片30 mm×30 mm探针面积的结果与博奥扫描仪相比一致性系数R~2达到0.98,检测时长却只需55 s。相比于激光共聚焦仪器,该扫描仪具有结构简单,检测速度快的优点。     

考虑光纤光栅反射率分布的外腔半导体激光器的理论模型

提出了等效腔近似下 ,包含光纤光栅反射率分布的光纤光栅外腔半导体激光器 (FGECL)的理论模型。数值分析表明 ,用该模型所得到的模式抑制比 (MSR)明显小于把光纤光栅反射率当成点函数 (即只在某一波长处有反射率 ,其余波长处反射率为 0 )来处理时所得到的模式抑制比。     

镀膜法获得的超辐射发光二极管的特性分析

在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜镀得好与不好的时候，最低反射处波长控制的准确性与最低反射率本身的大小都很重要；同时，也可以看到单面镀膜的ＳＬＤ振荡波长与增益峰值波长不重合的现象。     

利用半导体激光器功率—电流曲线斜率的变化控制AR膜的镀制

研究了不同偏置条件下半导体激光器的微分输出功率与端面反射率的关系,为主动法控制半导体光放大器端面减反射膜的镀制提供了必要的使用判据。镀膜实验证实了理论预测,使用本判据有助于提高镀膜的可靠性。