水轮机比转速与额定水头统计方法探讨

从近年国内研制及使用的水轮机资料中,采用包络回归分析法分析了比转速和额定水头间的规律,通过多种回归模型的计算分析得出了相应的统计公式.     

基石:射击训练中的射击预习

<正>射击预习是射击训练的基本方法,是简单、有效的提高与保持射击水平的训练手段,主要包括空枪击发练习和射击程序练习。因不受场地、气象条件、安全保障措施以及弹药消耗限制等因素的影响,射击预习更容易组织实施。如今,在贴近实战训练的理念下,射击预习的作用很容易被忽视,甚至很多人认为射击训练就是要打实弹才会有效果,优秀的射手都是枪弹喂出来的。实则不然,射击预习与贴近实战训练并不矛盾,相反,它是实战训练的基础,仍值得探索——     

微细涡轮分级机的试验研究

介绍了一种新型高效微细涡轮分级机SW315。结合MLC-40型冲击式粉碎机组成试验系统，讨论了主要操作参数对这种分级机性能的影响规律，其结果将作为指导实际生产的依据     

基于GSM蜂窝网络的无线定位装置设计

在对GSM蜂窝网络及其定位技术进行简要介绍的基础上,提出定位装置的功能需求,设计定位装置的系统方案,完成硬件设计和软件开发.开发的定位装置能够实现无线定位,并通过短信形式报告位置,对当前无线网络不做任何改动,已通过测试并投入使用,满足了移动对象的区域定位需求.     

聚合物MEH-PPV橙红光OLED的研究

以聚合物聚[2-甲氧基-5-(2'-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)为发光层,采用旋涂方法制备了两种不同结构的有机电致发光器件(OLED),分别为:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.对两种器件的电致发光谱、J-V曲线和L-V曲线等发光特性进行了分析研究.对比发现,采用BCP为空穴阻挡层的结构具有较大的发光亮度和较高的发光效率.根据能级理论对上述实验结果进行了初步的理论分析,并对器件性能差异的原因进行了解释.     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.     

两种降低复杂度的符号翻转多元LDPC译码算法

该文提出两种低复杂度的基于符号翻转的多元低密度奇偶校验码(LDPC)译码算法：改进型多元加权译码算法(Iwtd-AlgB)和基于截断型预测机制的符号翻转(TD-SFDP)算法。Iwtd-AlgB算法利用外信息频率和距离系数的简单求和取代了迭代过程中的乘性运算操作;TD-SFDP算法结合外信息频率和翻转函数特性,对译码节点和有限域符号进行截断与划分,使得只有满足条件的节点和符号参与运算与翻转预测。仿真和数值结果显示,该文提出的两种算法在性能损失可控的前提下,可减少每次迭代的运算操作数,实现性能和复杂度之间的折中。     

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.     

一种无线市话(PHS)终端一机多号的实现方法

目前,PHS网络在我国是作为无线市话来发展的。无线市话(PHS)终端的终端号码和终端是捆绑在一起的,只局限在当地使用,无法实现跨省市漫游。分析了无线市话用户的身份识别过程,介绍了无线市话(PHS)终端的关键参数,提出了一种无线市话(PHS)终端一机多号的方法,解决了在两地或两地以上使用同一台无线市话(PHS)终端的问题。     

GaN基外延膜的激光剥离和InGaN LD外延膜的解理

利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离。对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaNLD外延膜(5μm)实现了大面积剥离。对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离。同时对剥离后的InGaN多量子阱LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaNLD腔面平整光滑。基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件。