化工企业安全环保管理现状及工作思路分析

当前,科学技术快速更新迭代,促使各个行业飞速发展,化学工业也得到迅猛发展。基于化学工业的特殊性,许多化学品都具有不稳定性,而且大部分的生产环境处于高温之下,稍有不慎就会引起不稳定的因素。对此,国家出台了有关化学生产作业的法规,在企业内部建立了相关的安全管理体系,却并未从根本上解决问题,各类安全事故依旧频发。基于此,文章对企业安全环保管理现状和工作思路进行研究分析,供相关人员参考。     

在线教育下教学交互研究现状分析

在线教育的交互状况对课程质量有着重要影响,文章结合国内外关于在线教育教学交互的文献与资料,总结现阶段远程教育下的教学交互的期刊及代表性文章,结合各个平台在线教育教学交互的现状,以教学交互层次塔为理论基础,从教学交互的内涵与特点出发,整体分析教学交互为在线教育带来的影响,并介绍了教学交互理论在远程教育中的应用,为现阶段提高远程教学环境下的教学交互提出建设性的意见。     

直接换热式热泵系统在采油污水余热利用中的实践探讨

在常规热泵余热回收系统当中,通常在低温污水热源与蒸发器、冷凝器、被加热介质之间设有一道中间清水循环,这导致系统工作效率降低。基于此,本文将主要针对如何在采油污水余热利用过程当中,有效应用直接换热式热泵系统展开相关探讨研究。     

国内外页岩油储层改造技术现状及发展建议

北美海相页岩油采用长水平段水平井密切割体积压裂技术和"工厂化"施工技术等手段,已获得规模化商业开发,而国内陆相页岩油勘探开发起步晚,总体处于试验与示范阶段.为促进我国页岩油的勘探开发进程和页岩油开发技术的发展,总结分析了北美海相页岩油和国内陆相页岩油储层的基本特征、储层改造技术现状和特点,从中得到了诸多启示,从而针对国...     

基于特征断面的复杂巷道段三维建模

为解决巷道断面随工程需要及岩层变化不断改变,导致巷道三维建模程序复杂的问题,提出基于特征断面的巷道三维建模思想,通过建立巷道特征断面模型库,实现变化巷道段的三维建模,以期提高复杂巷道段的建模效率。首先阐述建模数据的采集方法,并对巷道断面进行了细化坐标分析;同时提出拐角处断面变化巷道段的平滑处理算法（通过圆弧来圆滑拐角处巷道中心线）,对普通巷道段采用三角剖分形成三角网完成巷道段的建模;而巷道断面发生变化的复杂巷道段存在简单曲面四边形,采用Bézier曲面及曲面的拼接完成巷道段的建模,并在实验中进行了验证     

"互联网+"背景下高职轨道交通人才培养模式探究

高职院校作为复合型技术技能人才培养的重要基地,是教育与人力资源衔接与融合的重要场所.在"互联网+"时代背景下,轨道交通产业的设备和技术都在向高度自动化、信息化、智能化发展,对此,高职院校要紧跟时代发展步伐,依托信息技术,加速人才培养模式改革,促进轨道交通专业人才综合能力提升,有效推动我国轨道交通事业发展.     

全钒液流电池在充电结束搁置阶段的开路电压变化

本工作通过对全钒液流电池的充电-搁置实验,对电池搁置阶段的开路电压变化进行探索。实验发现,全钒液流电池的开路电压变化与非液流储能电池有所不同,主要由跃降、缓慢下降、缓慢上升和趋于稳定四个过程组成。本工作首先对全钒液流电池开路电压的四个过程逐步进行分析,然后重点针对开路电压出现缓慢上升的原因及影响因素进行探索。实验结果表明全钒液流电池开路电压缓慢上升的过程与电池内电解液体积占比和流量有关,是全钒液流电池在充电结束搁置阶段的重要特征。电池内电解液体积占比越小,开路电压缓慢上升过程越长,上升幅度越小。电解液流量越大,开路电压缓慢上升过程越短,上升幅度越小。     

利用反射思想完成对数据库的万能操作

针对目前主流的JDBC开发技术,大量程序开发人员仍然停留在"一表一增删改查"的技术水平阶段,本文提出了一种基于反射思想对数据库进行DDL操作的通用DAO。其中,先介绍了通用DAO的优越性和基本原理;再进行对比分析,阐述它对于数据库操作的优越性:对比操作主要围绕数据库的四大操作中的查询操作;最后,本文预测了这种编程思想的发展方向以及应用领域。     

某天然气处理厂膨胀压缩机无法启动故障原因分析与处理

某天然气处理厂选用的膨胀压缩机是加拿大PROPAK公司的FRAME 2.5型压缩机,其利用膨胀制冷时的动力进行天然气压缩。2022年,在一次机组正常切换过程中,滑油压差无法稳定在1 030 k Pa,不满足启机条件,导致无法启机。现场对故障原因进行了排查分析,突破国外厂家技术封锁,对转子进行了更换,解决了膨胀压缩机启动故障,完成了自主检修和技术创新总结。     

SiC功率器件辐照效应研究进展

SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件（SiC SBD、 SiC JBS、 SiC MOSFET）在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考。