电子束直写邻近效应校正技术

通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合效应，可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响，使邻近效应校正达到预期的效果。     

俄罗斯基于超辐射机理相对论返波管实验研究进展

基于超辐射机理相对论返波管能产生高峰值功率、高峰值转换效率、快速上升前沿的纳秒／亚纳秒微波脉冲，正成为高功率微波源系统小型化的新技术途径．本文介绍了近几年来俄罗斯方面对超辐射返波管器件的实验研究情况，重点报道了Ka波段和X波段超辐射返波管器件的最新进展，并指出发展趋势及存在的一些关键技术问题．     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱

介绍了一种新型的空间调制光谱技术—差分反射 ( DR)光谱技术 .利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 .通过与材料的 PR谱及反射光谱的一阶微商谱比较分析 ,论证了 DR光谱技术用于多量子阱量子化跃迁观测的理论可行性 ,并从实验角度证明了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱具有反射率谱对能量的一阶微商线型特征     

一种有效降低虚警率的变化检测算法

研究了图像变化检测算法,针对传统的直接比较算法对光照、噪声等变化因素敏感,虚警率较高的问题,提出一种新的变化检测算法加以解决.首先,采用提出的基于二维直方图的最大熵方法对参考图进行分类,然后利用非线性估计方法,对参考图进行估计,并利用分类结果对其进行标注,最后,通过计算测试图像像素点到估计图像对应像素点所在类的马氏距离,来度量测试图像的变化情况.通过实验比较,验证了算法的有效性.     

H-600型电子显微镜的故障检修体会

我所自1982年购进日本H-600-2型透射式电子显微镜,使用至今累计开机时间近万个小时,由于维修保养得当,现在仍正常使用,为我所科研工作提供了有力的保障。此台电镜自1997年以来,先后在微处理机电源、真空控制以及高压电缆等部分出现过故障,我们本着胆大心细、敢修巧修的原则,使故障得到了修复,节约了经费。实践中也积累了一些体会,供同行参考。(1)故障现象:打开镜筒开关COL后,显示屏无字符显示,高压、灯丝都能加上且指示正常,光斑可见但不正常,操作放大、聚焦、亮度以及数字键盘的按键均无反应,按RESET复位按钮也无济于事。分析测试及处…     

基于遗传算法的温度控制系统设计

温度控制在现代自动化工业现场非常普遍：比如在;台金、化工、建材等各类现代工业中,均广泛使用反应炉、加热炉等设备,这类设备在工作过程中往往需要对其温度进行准确的测控。常规的温度控制算法往往是采用PID等基本过程的控制算法,但是PID往往难以达到很多场合对于控制速度、精度等方面的要求。尝试使用遗传算法来进行温度控制,并进行了Multisim仿真分析。仿真结果证明新的算法,其控制效果改进明显。     

低功耗低成本数字时钟的设计与制作

设计制作一款计时准确的、采用动态显示和亮度自动控制等节电工作方式的、使用CMOS门电路芯片最少的高精度低功耗低成本数字时钟,其耗电量仅为常规静态显示模式的1.8%,24小时计时误差小于0.5秒。