粘弹性本构模型的识别与变形预报

本文针对粘弹性模型，探讨了模型识别方法，首先根据反分析方法确定粘弹性模型的等效弹性模量，然后再确定具体模型的参数，在此基础上进行模型模糊识别；最后对三峡工程高陡边坡稳定性进行了预报分析，计算结果表明文中建立方法的可行性和潜在的应用价值     

Performance analysis of chip-asynchronous coherent time-spreading optical CDMA system

Multiple-access interference(MAI) and beat noise(BN) in chip-asynchronous coherent time-spreading OCDMA system are evaluated by the aperiodic cross-correlation function of up-sampled sequence.Relationship between the mean intensity of aperiodic cross-correlation and MAI and BN is deduced,and then the relationship between BER and mean intensity of aperiodic cross-correlation is discussed.For 127-long gold sequence,mean BER performance of chip-asynchronous coherent time-spreading OCDMA is derived and compared...     

InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能

为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求,采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38μm滤光膜的片上集成。利用偏光显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)以及红外傅里叶光谱(FTIR)等实验手段研究了滤光膜的表面界面形貌和光学性能,结果显示,滤光膜为法布里-珀罗三谐振腔结构,与膜系设计一致;滤光膜中心波长为1.38μm,透射率在60%左右。对集成滤光膜InGaAs器件的电学和光学性能测试分析表明,滤光膜制备工艺对器件的电流电压特性和噪声基本没有影响;而集成滤光膜器件的响应要优于滤光膜分离器件的性能。     

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.     

FY—1C气象卫星上的10波段可见—红外扫描辐射计

１０波段可见－红外扫描辐射计是我国极轨ＦＹ－１Ｃ气象卫星上的主要有效荷载。本文介绍了该仪器的构成、探测波段、探测器、在轨信号处理器和运行表现。     

HgCdTe表面钝化新方法

ＨｇＣｄＴｅ表面钝化新方法龚海梅，李言谨，方家熊（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文首次提出了脉冲式阳极氧化生长ＨｇＣｄＴｅ表面钝化膜的方法，自行设计研制成功一种新颖的脉冲式阳极氧化装置，获得了优于传统恒流方式生长的ＨｇＣｄＴｅ阳极氧化膜界面，...     

电子技术实验教学中科学素质与创新能力的培养

分析了当前高校电子技术实验教学中存在的一些问题，总结和介绍了作者在电子技术实验教学改革中针对提高学生科学素质和创新能力所做的一些工作尝试，并对进一步改革电子技术实验教学提出了设想。     

云计算关键技术之云安全问题认知研究

云计算面临的最大挑战是安全问题。云计算应用的无边界性、流动性等特点,较之传统的IT模式有很大差异。在云计算环境下,服务方式发生变化,安全的责任主体也发生了根本改变。作为云计算服务提供商,需要建立安全的云计算平台,为云安全服务提供保障;同时,服务一定是开放的、安全的,要保护云用户敏感信息的安全。整合桌面安全管理技术是行之有效的。云安全应用研究主要是从云计算平台系统安全和网络安全设备、安全基础设施的"云化"突破。     

WiMax与TDD-HSDPA的性能分析与比较

随着无线Internet用户的急剧增长和数据业务的快速增加，对下代无线网络系统提出了越来越高的要求。各运营商更是积极地部署各种宽带无线接入（BWA）技术；第三代无线移动通信技术（3G）就是其中的备选方案之一。同时，随着无限局域网（WLAN）802.11的成功商用，IEEE802.16以及对应的无线城域网（WMAN）空口也成为宽带无线接入技术的有利可选方案。在本文中，我们将对这两种技术提供详细的性能分析和比较。     

Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究

感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE，ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上，采用Ni作为掩膜，Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体，对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究。刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加，刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀表面的扫描电镜（SEM）分析和俄歇电子能谱（AES）深度分析对刻蚀结果进行了讨论。分析表明，在满足刻蚀表面形貌的同时，较低的直流偏压下刻蚀速率较慢，但损伤较小，这对于制备高性能的紫外探测器是有利的。