准噶尔盆地西北缘五、八区二叠系上乌尔禾组储层成岩作用和成岩相研究

通过现场岩心观察,结合岩石薄片、铸体薄片、扫描电镜、阴极发光等微观图像资料,对准噶尔盆地西北缘五八区二叠系上乌尔禾组储层岩石学特征及微观特征进行了系统的研究,深入剖析了区内主要的成岩作用类型、成岩阶段、成岩序列以及成岩作用对储集物性的影响。结果表明,上乌尔禾组储层主要成岩作用类型有压实作用、成岩收缩、胶结作用、交代作用和溶解作用,处于中成岩阶段B期;可划分出4类成岩相,即砾缘缝-浊沸石溶蚀相、伊利石胶结相、方解石胶结相、石膏-高岭石胶结相。     

清江梯级水电厂集中控制优化调度

介绍了清江梯级水电厂开展集中控制优化调度过程中产生的效益、面临的问题,及对今后工作的建议及展望。     

空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展

文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器;最后,对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。     

浅谈药厂中检测的问题

主要介绍执行新版GMP-2010后,药厂检测中遇到的一些新问题:压差调节困难、过滤系统安装检漏的意外、B级区洁净度超标。     

InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础.     

InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能

为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求,采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38μm滤光膜的片上集成。利用偏光显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)以及红外傅里叶光谱(FTIR)等实验手段研究了滤光膜的表面界面形貌和光学性能,结果显示,滤光膜为法布里-珀罗三谐振腔结构,与膜系设计一致;滤光膜中心波长为1.38μm,透射率在60%左右。对集成滤光膜InGaAs器件的电学和光学性能测试分析表明,滤光膜制备工艺对器件的电流电压特性和噪声基本没有影响;而集成滤光膜器件的响应要优于滤光膜分离器件的性能。     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

基于IDEF0模型的装备维修规划流程

依据装备维修规划流程的定义、任务及目标,运用IDEF0建模方法,首先确定装备维修规划流程中功能结构树明确流程中各个模块的纵向联系.然后在每个层次上绘制功能活动关系图,用于描述该层次上模块之间的横向关系.由此理顺维修规划流程中各工作和活动间的逻辑顺序关系,规定各种信息流、控制流和资源流的内容和属性,最终建立维修规划流程的规范化模型.     

扬长避短合理使用保温挤塑板

近两年,在北京市和全国各地的外墙外保温工程中,使用挤塑聚苯乙烯泡沫塑料板(以下简称挤塑板或XPS)做保温材料的比例有越来越大的趋势。分析起来,上述情况出现的原因有:第一,随     

太周探测：从60年代四大天文发现说起(上)

介绍了高光谱用红外探测器的性能及使用情况,并将其与国外同类型高光谱红外探测器的关键指标(如信噪比、暗电流、读出噪声等)进行了对比测试分析。经过衬底去除工艺,短波探测器的光谱响应达到0.4~2.6 μm,平均量子效率超过75%,动态范围内响应线性度拟合曲线的R²值都大于 0.99,半阱信噪比可达到1600。该探测器的性能超过了国外报道的同类器件,满足我国高光谱应用需求。