IGBT芯片静态输出曲线连续测量方法

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一。现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题。亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法。面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响。通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线。通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性。     

基于光注入半导体激光器的超宽带信号产生

提出一种基于光脉冲注入条件下半导体激光器腔 内交叉增益调制(XGM)效应的超宽带(UWB)信号产生方案,通过一个增益开关激光器(ML)、 一个半导体激光器(SL)和一个光带通滤波器(OBPF),在平衡探 测器(BPD)端口直接检测输出重复频率为2.5GHz的UWB一阶微分(Mo nocycle)和二阶微分(Doublet)信号, 而且通过引入马赫-曾德尔调制器(MZM),还可对产生的UWB信号实现开关键控(OOK)。 对所提系统 进行了全面的系统仿真分析,并进行了实验验证,实现了上述各种条件的UWB信号产生,并 实现了UWB信 号的40km光纤传输实验。实验结果表明:该方案获得的UWB信号的频 谱与美国联邦通信委员会(FCC)定制的EIRP标准吻合,同时经过调制的 UWB信号的波形经40km光纤传输之后基本保持不变。为了证明本文方 法产生的UWB信号的重复变化特点,还产生了频率为3.75GHz的UWB信 号。     

中国3G运营商的目标市场与业务模式初探

中国3G业务的市场需求有两个方面：一是迅猛增长、规模庞大的用户群对移动语音业务的需求；二是较高收入用户群对移动数据业务的需求。3G运营商的目标市场包括大众用户对移动语音的需求、大众用户对移动数据业务的需求、企业用户对移动数据业务的需求以及批发型用户的需求等。本结合国内外移动运营商的数据业务开展状况，初步探讨了中国3G运营商的移动数据业务模式和3G业务的收入模式。     

高效数字调制VMSK的错觉

Walker提出了一种高效率的数字调制方案VMSK调制,根据 Walker的分析,它的频带利用率可以达到 30bit/(sHz),而且没有能量损失。该文从工程和信号处理的角度分析了这种调制,得到了一个非常可惜的结果,这种调制并没有所说的性能。     

Effective improvement of high-k Hf-silicate/silicon interface with thermal nitridation

The electrical properties of polysilicon gate MOS capacitors with hafnium silicate (HfSiO) dielectric, with and without NH/sub 3/ nitridation, were investigated. The results show that with NH/sub 3/ nitridation prior to deposition of HfSiO can effectively tune the flatband voltage close to that of conventional oxide and significantly improve the leakage properties over SiO/sub 2/ (three orders reduction). Furthermore, the excellent interface quality has been evidenced by the result of immunity against soft breakdown with NH/sub 3/ nitridation.     

Spectral efficiency of distributed antenna system with random antenna layout

The downlink capacity potential of a distributed antenna system (DAS) with random antenna layout is investigated. A low complexity sub-optimal power allocation scheme among transmit antennas is proposed. Simulation results show that with the same antenna density DAS outperforms a co-located antenna system (CAS) in terms of average and outage spectral efficiency.     

微空心阴极放电作大体积辉光放电电子源的模拟研究

基于MATLAB与VC 混合语言，采用Monte Carlo模拟对高气压下亚毫米级微空心阴极放电(MHCD)在第三电极牵引下电子的运动过程进行了研究，计算出不同电压、不同的尺寸结构下，电子的空间分布和被牵引出MHCD的电子能量分布。从理论上分析了MHCD结构要求，以及电压等参量对出射电子的能量分布影响。     

大电流连续二极管激光器阵列电源主电路

提出了MOSFET管控制的大电流连续二极管激光器阵列驱动电源主回路；其成本低，输出连续电流达50A．波动幅度小于0．05A.介绍了电路的工作原理及主要元器件参数的计算方法。该电路设计已成功地应用于DPSSL构成的激光标刻设备。     

Military multi-hop routing protocol

Military tactical network is one of the most important applications of ad hoc network. Currently the existing routing protocols are put forward based on the simple and universal network model which has the ability of multi-hop routing but cannot work efficiently in the special military applications. The narrow bandwidth and limited energy of the wireless network make general routing protocols seem to be more redundant. In order to satisfy military needs properly, this letter makes a detailed analysis of physical nodes and traffic distribution in military network, uses cross-layer design concept for reference, combines traffic characteristic of application layer with routing protocol design. It categorized routing problem as crucial routes and non-crucial routes which adopted separate maintenance methods. It not only realizes basic transmission function but also works efficiently. It is quite fit for military application.     

一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.