基于同步的Link-16干扰技术研究

在对Link-16的同步系统进行研究的基础上,提出了通过干扰网络时间基准（NTR）来达到破坏网同步,从而实现Link-16干扰的思路。同时分析讨论了此法下两种特殊干扰的效果,并给出仿真结果。     

等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

一种S频段高性能频率合成器的设计与实现

设计了一种高性能频率合成器,采用直接数字合成(DDS)与直接模拟合成相结合的方式,实现了S频段1 Hz细步进输出,频率捷变时间小于800 ns,并达到杂散抑制优于-65 dBc、相位噪声优于-115 dBc/Hz偏离载频1 kHz处的高性能指标.     

GaN HEMT器件封装技术研究进展

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景.但GaN HEMT器件的高功率密度和高频工作特性,给器件封装带来了极大挑战,要使其出色性能得以充分发挥,其封装结构、材...     

基于属性的多授权中心身份认证方案

针对现有的基于属性的身份认证方案均是基于单授权中心实现的,存在密钥托管问题,即密钥生成中心知道所有用户的私钥,提出了一种基于属性的多授权中心的身份认证方案.所提方案结合分布式密钥生成技术实现用户属性私钥的(t,n)门限生成机制,可以抵抗最多来自t-1个授权中心的合谋攻击.利用双线性映射构造了所提方案,分析了所提方案的安...     

基于脉宽反窄的水池安全警报传感器设计

为了减少无人看守的水池或游泳池中小孩的溺死事件,提出了一种基于脉宽反窄的水池警报传感器设计方法。采用刚性塑料圆管、水池面、压电陶瓷等元件构成密封探头模型,简化了传统水听器探头的设计;通过采用差分仪器放大器,减少了因振动等因素对测量造成的影响;采用程控放大器,增加了传感器的适用范围;采用脉宽反窄滤波器,提高了报警的准确性,减少了误报警率。实验结果表明,传感器具有很强的适用性,且报警的准确性达到99%以上。     

基于欧氏距离分布熵的特征优化研究

针对训练样本集的分类特征优化选择问题,改进了样本可分度标准:Kullback-Leiber距离,并进行了有效性验证.在此基础上定义了欧氏距离分布熵(Distribution Entropy of Euclidian Distance DEED)这一空间分布信息度量参数,同时给出了它的计算方法.提出了"类间互欧氏距离分布熵"(between-class DEED)与"类内自欧氏距离分布熵"(within-class DEED)的分析方法.进一步将其用于样本可分性分析,验证了两者比值愈大,特征样本集可分度愈好这一结论.     

"信号与系统"在线仿真实验的研究与实现

针对"信号与系统"课程的特点及教学中遇到的问题,分析了Matlab仿真应用于网络环境中存在的不足,提出了基于Matlab Web Server和ASP技术实现在线仿真实验的具体方法,并详细说明了Matlab网络程序设计关键技术.最后给出了信号时域分析在线仿真的程序设计实例.     

内腔式KTP OPO发散角的实验研究

实验研究了非临界相位匹配 (NCPM)的内腔式KTP光学参量振荡器 (OPO)的光束发散角与OPO谐振腔参数的关系。证明了望远镜型共焦非稳谐振腔是压缩OPO光束发散角的有效方法。