泡沫铁制备工艺的研究

在聚氨酯海绵基体上镀覆一层金属薄膜,然后镀铁,高温烧结.探讨了克服铁沉积层严重的氢脆和应力因素,制备高结合力、高熔点、高抗压强度的泡沫铁,并提出一套完善的制备工艺.     

有机电致发光器件封装技术的研究进展

有机电致发光器件(OLED)对O2和水汽非常敏感,渗入器件内部的O2和水汽会严重影响器件的发光寿命。因此,OLED器件的封装很重要。介绍了不同衬底或基板OLED封装技术的研究状况,包括以玻璃为基板的封装技术如等离子体化学气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积聚合物薄膜和光聚合聚丙烯酸酯薄膜等;以塑料为基板的封装技术通常采用多层或迭层的复合封装技术如有机–无机复合膜和金属–有机复合膜的封装技术等。     

氮掺杂改性二氧化钛光催化剂的研究进展

综述了近年来国内外利用氮掺杂改性二氧化钛的光催化剂性能、提高可见光的利用效率的最新研究进展；分析和讨论了氮掺杂二氧化钛的制备方法、理论计算和结构模型、掺杂机理等；总结了氮掺杂改性二氧化钛存在的问题，同时讨论了今后的研究方向．     

TiO2／UV／O2和TiO2／UV／N2体系降解水中对氯硝基苯

以商用TiO2P25为催化剂,分别在TiO2/UV/O2和TiO2/UV/N2两种体系下进行降解对氯硝基苯(pCNB)试验.采用ESR对两种体系下光催化反应形成的.OH进行测定,利用LC-MS对两种体系下反应形成的中间产物进行了定性和定量分析,最后对pCNB降解过程中氯和硝基的存在形式进行了研究.结果表明:TiO2/UV/O2体系的催化降解效果要明显优于TiO2/UV/N2体系;两种反应体系都有.OH产生,并且TiO2/UV/O2体系产生的.OH的量多于TiO2/UV/N2体系产生的.OH的量;TiO2/UV/O2体系形成的中间产物的种类要多于TiO2/UV/N2体系形成的,苯环上的氢、氯、硝基均可被.OH取代形成对硝基酚(pNP)、5-氯-2-硝基酚(5-C-2-PN)等酚类物质;两种体系下均有Cl-和NO2-存在,其中Cl-生成势与pCNB的去除势一致,只有TiO2/UV/O2体系中存在NO3-.     

绝热橡胶蛇腹接头制作技术研究

介绍一种以水镁石纤维/NBR橡胶料片模压成型耐烧蚀性蛇腹接头之制作技术。研究结果显示,橡胶料片之排料方式为影响制作品质的关键性因素。耐烧蚀性蛇腹接头可应用于国防产业领域,例如固体火箭推进器之推力控制组件,而本技术亦可配合产业实际需求,衍生推广应用于一般民生工业领域。     

不同形式导流板对旋风器性能影响的试验研究

通过对加设不同形式导流板的旋风器进行试验研究,结果表明:不同形式导流板均不同程度地降低了旋风器阻力,同时也对分离效率产生了不同的影响.其中3#、4#导流板降阻幅度较大,但分离效率相对较低;2#的降阻效果强于1#,但弱于3#、4#,同时并没有降低分离效率;1#导流板只在一定限制条件内有减阻效果,其总体分离效率却比较高.     

三层结构的氧化锆陶瓷整体烧结研究

对三层结构的ZrO2陶瓷的整体烧结行为进行了较深入的研究,提出了提高三层结构的ZrO2陶瓷整体烧结的措施。研究结果表明:对于三层结构的ZrO2陶瓷,通过采取波浪型界面结构,改进表面层配方,降低升温速率等手段能获得整体烧结性能良好,抗弯强度达到682MPa,硬度15.56GPa的力学性能优良的复合陶瓷材料。     

碳化硅基材料抗氧化涂层的研究进展

碳化硅基材料具有优良的高温性能,但作为非氧化物陶瓷,碳化硅材料的高温氧化造成的性能衰减限制了其进一步的广泛应用.本文通过分析碳化硅的氧化机理,对比和总结了碳化硅抗氧化涂层的制备方法和涂层体系,并结合实际工作对碳化硅抗氧化涂层的研究提出了具体的见解.     

开放水热法制备莫来石复相纳米晶体的影响因素

以天然高岭土为原料,经精细化处理煅烧制备莫来石.用常压、开放水热技术制备出莫来石复相纳米晶体材料.实验表明:常压、开放水热条件下制备莫来石复相纳米晶粉体的水热反应中,采用质量比为m(Na2O)/m(SiO2)=2.8,m(H2O)/m(Na2O)=35～30,0～80℃控温升温1 h,在80℃保温2 h,可制备出尺寸为80～100 nm莫来石复相纳米晶体.所制备的莫来石纳米晶体的水热溶液相变驱动力△μ为(3.609～4.672)×10-20 J/mol;水热体系溶解度控制在3.891×10-6 mol/L;熔解热△E为18.846 kJ/mol;晶体生长速率常数选择0.85～0.92,有利于快速成核和晶体生长,并且可以很好地控制晶体尺寸和分散度.     

锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷的铁电性能

通过电滞回线测试,探讨了xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]陶瓷的铁电性能及铁电相变特性.同时研究了Ba2 取代Pb2 对材料铁电性能的影响.结果表明;三方相含量较高的0.2PMnS-0.8PZN陶瓷具有较高的矫顽场和较大的剩余极化强度;四方相含量较高的0.5PMnS-0.5PZN和0.6PMnS-0.4PZN陶瓷具有较低的矫顽场和较小的剩余极化强度,Ba2 取代使三方相含量增加,铁电性能明显提高.