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951.
952.
建立了对可见光和近红外的瞬态测试记录系统。用实验方法研究了氩气在炸药冲击小励下产生的可见光光强。测得了不同压力下氩气的辐射强度,分析了气体压力对光强的影响。 相似文献
953.
Qiang He Xingwei Wang Min Huang Yuliang Cai Chuangchuang Zhang Lianbo Ma 《International Journal of Communication Systems》2018,31(15)
To synthetically and dynamically make strategic choices in social networks, a novel adaptive approach to deal with two‐dimension influence maximization problem (TIMP) is proposed with game‐based diffusion model, which can achieve trade‐off between diffusion time and the number of active nodes. At first, TIMP model is synthetically formulated, and diffusion time and the number of active nodes are defined mathematically. In particular, budget efficiency is presented to describe TIMP in order that an appropriate trade‐off between diffusion time and the number of active nodes can be reached. Then, an adaptive heuristic (A‐Heuristic) scheme is proposed to dynamically determine the initial seed nodes (ie, the most influential nodes). Finally, experiments are performed, and their results verify the superior performance of the proposed scheme in terms of budget efficiency, running time, and the number of active nodes. 相似文献
954.
955.
956.
以发动机尾焰的红外探测为主要应用背景,利用反向蒙特卡罗法计算了液体火箭发动机尾焰红外辐射特性。首先计算了尾焰红外辐射在2.7μm下的轴向分布特性及空间不同角度分布特性,计算结果较为合理。重点计算了尾焰2~5μm的光谱辐射特性,并考虑了大气衰减的影响,与TheAerodyne Radiation Code的计算结果趋势吻合良好。实际探测时,探测器只能接收到尾焰辐射的小部分能量,因此对一定距离下探测器接收辐射进行计算,进而获得尾焰在探测器视场内的红外光谱辐射分布特性,具有重要的理论意义和实际应用前景。 相似文献
957.
958.
基于自外差探测的多光纤光栅远程传感系统 总被引:1,自引:0,他引:1
提出并实验证明了一种基于自外差探测和波长扫描技术的光纤布拉格光栅远距离传感系统。该系统将远程光纤光栅阵列的反射信号光与本地参考光进行差频探测,并通过声光调制器对探测光的频移及脉冲进行调制,有效地提高了系统的探测灵敏度和传感距离。在没有放大的情况下,在171km的探测距离处,光纤光栅传感器的反射布拉格波长信号的信噪比达到33dB。该系统可以准确地绘制出远端光纤光栅阵列的反射谱,实验结果显示两个光纤光栅的布拉格波长与温度均成良好的线性关系,且传感灵敏度为11pm/℃。 相似文献
959.
一种符合EPC C1G2标准的RFID随机化密钥双向认证协议 总被引:1,自引:0,他引:1
RFID系统已广泛地应用于自动识别领域等,但RFID系统也给使用者的隐私和安全带来新的威胁.现有已提出的安全协议方案,基本上都存在着某种安全隐患或不符合EPC ClG2(electronicproduct code class1 generation2)标准要求,无法成为实际可用的RFID系统安全机制,本文在介绍了两种符合EPC ClG2标准的安全协议并分析其存在的弱点后,提出一种新的设计方案--随机化密钥双向认证协议,并分析其安全性能. 相似文献
960.
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值. 相似文献