轧辊表面形貌与电加工参数关系的研究

分析了衡量冷轧钢板和毛化轧辊的主要表面形貌参数,通过实验研究了电火花加工参数对表面形貌的影响,并建立表面特征参数与电加工参数的关系模型.由于实验材料和实验方法与实际轧辊电火花毛化基本相同,所以所得结果对轧辊表面毛化技术的研究具有实际意义,可以用于轧辊毛化过程的表面形貌预测和控制.     

Al2O3f＋Cr／ZL109混杂复合材料的复合振动钻削加工

用挤压铸造法制备了三氧化二铝短纤维和碳短纤维混杂增强ZL109合金复合材料、并采用永磁复合激振方式进行了轴向与扭转复合振动钻削加工，研究了该材料的钻削加工性及振幅和振动频率对钻削力、钻头磨损和孔精度的影响。结果表明。采用这种复合振动钻削方式．可更明显降低钻削力和提高加工精度。选择合理的振动参数。也可以减轻刀具磨损，因而可改善Al2I3f Cf／ZL109混杂复合材料的钻削加工性。     

原始计算对电路设计的影响

随着大型阵列型集成电路的飞速发展，电路设计的思想必然随之更新。本文从原始计算方法的角度重新审视了当前计算机技术和电路系统设计技术的发展方向，结合通用化思想和硬件软化及其网络化的发展方向，简述了算法思想对当前电路设计方法的深远影响。     

铸造RE17Fe76.5B5Cu1.5（RE=Pr,Nd）热压及其热处理的研究

在热压温度Ｔ〈１１７３Ｋ，ε＝１０＾－４－１０＾－３ｓ＾－１条件下，首次得到铸造Ｐｒ１７Ｆｅ７６．Ｂ５Ｃｕ１．５「００６」织构，而在其它条件下得到的均为「１０５」织构。热压试样经较低温度热处理，不仅热压Ｐｒ１７Ｆｅ７６．５Ｂ６Ｃｕ１．５而且Ｎｄ１７Ｆｅ７６．５Ｂ５Ｃｕ１．５均得到更加显著的「００６」织构，包括在内绝大多数晶面的峰消失，磁体的剩磁大幅度提高，达１３２０－１３３０ｍＴ。     

大型汽轮发电机组定子端部线圈引出线固有频率测试与分析

针对大型汽轮发电机定子端部线圈引出线由于受到电磁力的作用而振动 ,导致其绝缘磨损而引发的发电机短路事故 ,提出通过测量其引出线固有频率的方法是抑制发电机定子端部线圈引出线振动的必要检测手段。详细阐述了引出线固有频率测试的基本原理、测试仪器、测试方法 ,并用内蒙古达拉特发电厂 330MW发电机的端部线圈引出线进行实测分析。在测试分析中提出了引出线的振动幅值在评判中的重要作用 ,并认为采取引出线加配重降低其固有频率的方法要优于加强引出线强度提高其固有频率的方法。     

凝汽器水环真空泵运行安全性的提高

阐述了水环真空泵组的工作原理和工作流程,并就内蒙古蒙华海勃湾发电厂在定期切换水环真空泵时,由于入口电动门的差压连动开关误动导致凝汽器真空下降造成的停机事故进行了认真研究分析,发现事故原因是由于水环真空泵组的系统设计存在问题造成的。通过实施技术改造,在水环真空泵入口管路上加装止回阀,并进行了长期试验,彻底解决了凝汽器真空泵正常运行及切换过程由于故障所引起的降真空停机事故。     

基于小波方法的复杂锥筒振动信号降噪处理

介绍了小波变换在振动试验中的应用现状,并运用小波方法对复杂锥筒振动试验的信号进行了降噪分析,从复杂锥筒振动测试信号中分离出真实的振动信号,提出了适合此类振动信号降噪的可行性分析方法,并通过试验数据验证了该方法的正确性和有效性.     

ZnO薄膜的制备和结构性能分析

ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,利用L-MBE技术在(0001)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长,在280 ℃～300 ℃低温条件下所生长的薄膜样品具有(0001)取向的纤锌矿晶体结构,薄膜光学性能良好,论文中对ZnO薄膜的低温L-MBE生长机理进行了探讨.     

Photoreflectance Spectroscopy for Study of Si/SiGe/Si Heterostructure

UHVCVD-grown Si/Si1- xGex/Si heterostructure was investigated by Photoreflectance spectroscopy (PR). The principle of PR used in semiconductor film was thoroughly described. According to the E1 transition energy in the Si1- xGex alloy, the Ge content in SiGe film with constant composition can be accurately characterized. In this study, determine the composition uniformity of larger diameter SiGe epiwafer by PR mapping technique was determined. These results show PR is very promising for Si1- xGex epilayer characterization with constant Ge content and can provide film measurements for production-worthy line monitor.     

Effect of Ion Dose on Growth of Relaxed SiGe Layer on Ion Implantation Si Substrate

Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford backscattering/ion channeling (RBS/C), high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectra as well as atomic force microscopy (AFM) were used to characterize these SiGe films. Investigations by RBS/C as well as HRXRD demonstrate that these thin Sio.8Geo.2 films could indeed epitaxially grow on the Ar ion implantation Si substrates. Under low dose ( 1 × 1014 cm-2) and medium dose (5 × 1014 cm-2) implantation conditions, the relaxation extents of SiGe films are 60.6% and 63.6%, respectively. However, high dose implantation (3 × 1015 cm-2) prompt the strain in epitaxial SiGe film to be close to full relaxation status (relaxation extent of 96.6% ). On the other hand, determinations of RBS/C also indicate the crystalline quality of SiGe film grown on high dose implantation Si substrate is nearly identical to that grown on low dose (1 × 1014 cm-2) implantation Si substrate.