一种快速CRC 算法①的硬件实现方法

介绍了CRC校验算法的硬件电路实现方法。CRC校验广泛应用于通信、存储系统，在串行CRC实现的基础上，对电路结构提出了改进的方案，并实现了CRC的并行计算，由此进一步可以适用于任意位数据宽度的数据输入情况。     

五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度     

质子和中子的单粒子效应等效性实验研究

通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系，实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度，并利用热释光剂量计（TLD）进行质子注量的监测，采用新研制的存储器长线实时监测系统，进行了64K位至4M位的SRAM器件单粒子效应实验，确定了两种粒子引起单粒子效应等效关系。     

行为级DSP算法描述的阵列处理器综合方法研究

本文提出了针对递归DSP算法的高层次系统综合流程,并以脉动(systolic)式处理器阵列结构实现.从DSP算法的FDDL行为级描述开始,经由编译及划分,产生数据相关流图(Data Dependency Graph),然后实现对算法流图的空间映射及时域规划,得到算法的信号流图(Signal Flow Graph),经时序重构,生成脉动阵列,最后实现对处理器单元的数据路径综合及控制器综合,并对处理器单元定位,本文同时提出了各设计阶段的算法策略及优化策略,并给出综合结果。     

无横梁高刚性轧机的结构分析

本文介绍了无横梁高刚性轧机的新颖结构，分析了该轧机高刚性及轴承长寿的原理。该轧机在现场使用中，取得了良好的效果。     

EFFECTS OF COLD EXPANSION OF A HOLE ON FATIGUE CRACK INITIATION LOCATION AND LIFE OF AN LY12CZ ALLOY

Abstract— In the present study the effects of cold expansion of a hole on the location of fatigue crack initiation and life of LY12CZ alloy sheets are experimentally investigated and a quantitative expression of fatigue crack initiation life presented. Test results and analysis show that there may exist an optimum amount of cold expansion, for which both the coefficient of the resistance to fatigue crack initiation and the threshold are increased, and that the direction of cold expansion has no appreciable effect on fatigue crack initiation life. Observations show that, after cold expansion the fatigue crack nearly always initiates on the final entry face from which the mandrel is introduced into the hole during the final cold expansion process. Therefore it may be thought that the entry face is less resistant to fatigue crack initiation. In addition, the assumption of equivalence of residual stresses and also the strain hardening conditions on both the entry and exit faces may be questionable.     

Gate and drain currents in off-state buried-type p-channel LDDMOSFETs

The buried-type p-channel LDD MOSFETs biased at high positive gate voltage exhibit novel characteristics: (1) the ratio of the drain to gate currents is about 1×10^-3 to 5×10^-3; and (2) the gate and drain currents both are functions of only the gate voltage minus the n-well bias. Such characteristics are addressed based on the formation of the surface n ⁺ inversion layer due to the punchthrough of the buried channel to the underlying shallow p-n junction. The measured gate current is due to the Fowler-Nordheim tunneling of electrons from this inversion layer surface and the holes generated within the high-field oxide constitute the drain current. The n⁺ inversion layer surface potential is found to be equal to the n-well bias plus 0.55 V. As a result, both the oxide field and the gate and drain currents are independent of drain voltage     

圆环扫描速高比计研究

介绍了圆环扫描速高比计(V/H计)的工作原理。给出了理论分析和实验结果。讨论了影响精度的原因和今后改进的方法。     

基于雅可比矩阵的电压控制区域划分的改进

对应用比较广泛的电压控制区域（VCA）划分方法进行了改进，在传统的去除小元素法基础上，采用牛顿 — 拉夫逊法潮流雅可比矩阵中有功和无功对电压幅值偏导数的子矩阵之和进行VCA划分;然后，将各种拓扑变化对系统电压稳定性的影响进行排序，按从大到小的顺序用这些拓扑变化对得到的VCA分区进行修正，直到修正结果不再改变为止，从而得到了适用于各种拓扑结构下电压稳定性分析的分区。改进后分区的有效性在新英格兰10机39节点系统上得到了验证。     

AVO反演预处理中的检波器非径向接收能量补偿.

 在地震勘探中，当炮检距非零时，检波器接收方向与反射波传播方向的夹角是非零的（即非径向接收），这一非零夹角必将产生能量损失，进而对AVO反演产生显著影响。为此本文根据Snell定律导出非径向损失补偿公式，以模型实例讨论了非径向接收对反射系数的影响，并提出了一种简单而有效的非径向能量损失补偿方法。对比用该方法做非径向损失补偿前后的AVO反演结果，其差异显著，说明本文方法能够明显改善AVO反演的质量。