全文获取类型
收费全文 | 40419篇 |
免费 | 3517篇 |
国内免费 | 1866篇 |
专业分类
电工技术 | 2445篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 2633篇 |
化学工业 | 6839篇 |
金属工艺 | 2028篇 |
机械仪表 | 2589篇 |
建筑科学 | 3159篇 |
矿业工程 | 1287篇 |
能源动力 | 1088篇 |
轻工业 | 2768篇 |
水利工程 | 703篇 |
石油天然气 | 2479篇 |
武器工业 | 332篇 |
无线电 | 4788篇 |
一般工业技术 | 4785篇 |
冶金工业 | 1889篇 |
原子能技术 | 510篇 |
自动化技术 | 5478篇 |
出版年
2024年 | 265篇 |
2023年 | 859篇 |
2022年 | 1367篇 |
2021年 | 1900篇 |
2020年 | 1416篇 |
2019年 | 1210篇 |
2018年 | 1323篇 |
2017年 | 1411篇 |
2016年 | 1210篇 |
2015年 | 1606篇 |
2014年 | 2101篇 |
2013年 | 2403篇 |
2012年 | 2583篇 |
2011年 | 2606篇 |
2010年 | 2280篇 |
2009年 | 2176篇 |
2008年 | 2003篇 |
2007年 | 2002篇 |
2006年 | 2120篇 |
2005年 | 1822篇 |
2004年 | 1180篇 |
2003年 | 1106篇 |
2002年 | 1068篇 |
2001年 | 919篇 |
2000年 | 1019篇 |
1999年 | 1033篇 |
1998年 | 852篇 |
1997年 | 740篇 |
1996年 | 718篇 |
1995年 | 571篇 |
1994年 | 471篇 |
1993年 | 355篇 |
1992年 | 278篇 |
1991年 | 213篇 |
1990年 | 160篇 |
1989年 | 128篇 |
1988年 | 100篇 |
1987年 | 51篇 |
1986年 | 39篇 |
1985年 | 35篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 19篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 16篇 |
1980年 | 8篇 |
1979年 | 5篇 |
1977年 | 2篇 |
1973年 | 1篇 |
1972年 | 1篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
992.
为了降低多元低密度奇偶校验(Low-density parity check,LDPC)码Min-max译码算法的运算量,提出一种自适应Min-max(Adaptive Min-max,AMM)译码算法.该方法以Min-max算法为基础,以每次迭代后的校验节点错误率(Check-node Error Rate,CER)为调节参数,采用自适应算法对变量节点的向量长度进行截短,去除置信度较低的分量,仅对置信度较高的分量进行更新.当CER降低到一定程度时,对校验节点个数进行自适应截短,仅对不满足校验方程的校验节点进行消息迭代更新,进一步降低AMM算法的复杂度.仿真结果表明,在相同误码性能条件下,AMM算法运算量较固定长度截短的Min-max算法减少20%. 相似文献
993.
Low dislocation density Ge wafers grown by a vertical gradient freeze (VGF) method used for the fabrication of multi-junction photovoltaic cells (MJC) have been studied by a whole wafer scale measurement of the lattice parameter, X-ray rocking curves, etch pit density (EPD), impurities concentration, minority carrier lifetime and residual stress. Impurity content in the VGF-Ge wafers, including that of B, is quite low although B2O3 encapsulation is used in the growth process. An obvious difference exists across the whole wafer regarding the distribution of etch pit density, lattice parameter, full width at half maximum (FWHM) of the X-ray rocking curve and residual stress measured by Raman spectra. These are in contrast to a reference Ge substrate wafer grown by the Cz method. The influence of the VGF-Ge substrate on the performance of the MJC is analyzed and evaluated by a comparison of the statistical results of cell parameters. 相似文献
994.
DSOI-a novel structure enabling adjust circuit dynamically 总被引:1,自引:0,他引:1
A double silicon on insulator (DSOI) structure was introduced based on fully depleted SOI (FDSOI) technology. The circuit performance could be adjusted dynamically through the separate back gate electrodes applied to N-channel and P-channel devices. Based on DSOI ring oscillator (OSC), this paper focused on the theoretical analysis and electrical test of how the OSC''s frequency being influenced by the back gate electrodes (soi2n, soi2p). The testing results showed that the frequency and power consumption of OSC could change nearly linearly along with the back gate bias. According to the different requirements of the circuit designers, the circuit performance could be improved by positive soi2n and negative soi2p, and the power consumption could be reduced by negative soi2n and positive soi2p. The best compromise between performance and power consumption of the circuit could be achieved by appropriate back gate biasing. 相似文献
995.
Chongjin Xie Xiang Liu 《Photonics Technology Letters, IEEE》2003,15(8):1070-1072
We propose a novel polarization-mode dispersion (PMD) compensation scheme for wavelength-division-multiplexing (WDM) systems, in which many WDM channels share one or a few PMD compensators at receiver site. It is shown, both analytically and numerically, that this scheme can achieve virtually the same performance as that using per-channel-based PMD compensation. 相似文献
996.
In order to investigate the effects of a back surface field(BSF) on the performance of a p-doped amorphous silicon(p-a-Si:H)/n-doped crystalline silicon(n-c-Si) solar cell,a heterojunction solar cell with a p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H structure was designed.An n^+-a-Si:H film was deposited on the back of an n-c-Si wafer as the BSF.The photovoltaic performance of p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H solar cells were simulated.It was shown that the BSF of the p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H solar cells could effectively inhibit the decrease of the cell performance caused by interface states. 相似文献
997.
998.
现有的数字广播网络由于没有回传通道,发送端无法知悉传输过程中的丢包状况。接收端处在广播网络的不同位置,常常因处于小区边缘或受障碍物遮挡等原因造成信号减弱,从而导致丢包率提高。该文提出了一种基于pFEC (patching Forward Error Correction,补丁FEC)的丢包恢复机制,来解决单向广播网络的丢包问题。该方法利用蜂窝移动网络的双向信道来传输补丁流,提供自适应的FEC来降低丢包率。这种方式可以在广播业务中为不同位置的用户提供不同的丢包恢复能力。理论建模及仿真结果显示,在蜂窝移动网络丢包率不高的情况下,pFEC机制能够有效应对个别用户突发的丢包,从而提高广播业务整体的可靠性和服务质量。 相似文献
999.
基于随机并行梯度下降算法的多级波前校正技术 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高基于随机并行梯度下降(SPGD)箅法的高分辨率自适应光学(AO)系统的有效校正带宽,提出了分级SPGD波前校正的方法.在每一级SPGD波前校正中,将高分辨率波前校正器的控制单元按位置分成多组.每一组都施加相同的控制电压作为一个控制变量.采用的校正级越高,独立的控制变量的数目也越多.多级SPGD自适应光学系统按从低到商的等级顺序对畸变波前进行校正.以一个具有16×16控制单元的分立活塞式波前校正器为基础建立了基于3级SPGD波前校正的自适应光学系统的数值模型,并针对大气湍流引起的某一帧随机相位屏做了模拟校正实验.结果表明采用分级波前校正后收敛速度提高了23%,此方法确实提高了基于随机并行梯度下降算法的自适应光学系统的有效校正带宽. 相似文献
1000.
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200~300℃;较为合适的C/Si比值为1.3. 相似文献