355 nm脉冲激光诱导等离子体开关削波

利用激光诱导等离子体开关技术,对355 nm脉冲激光自削波进行了实验和理论研究。分别采用5种不同焦距的透镜,集中讨论了透镜焦距及激光器输出单脉冲能量对脉宽压缩的影响,发现采用焦距为200 mm的透镜能够获得最佳的脉冲压缩效果。在聚焦透镜焦距200 mm,单脉冲能量160 mJ时,获得最短脉宽3.47 ns;在激光电离Cu小孔内壁表面及空气击穿共同作用下,获得了脉宽最短达2.11 ns的脉冲激光输出。此外,根据实验结果得到了355 nm激光空气击穿阈值,并与理论估算值进行比较,两者结果较为一致。     

人瘢痕疙瘩成纤维细胞原代培养及生物学行为研究

目的:建立可靠的人瘢痕疙瘩成纤维细胞培养方法,为瘢痕疙瘩体外研究提供平台.方法:采用组织块贴壁法进行瘢痕疙瘩成纤维细胞的原代培养,使用含10%胎牛血清的RPMI-1640培养基,37℃,5%CO2,饱和湿度下培养;描述其生长曲线、分裂指数、形态及波形蛋白表达.结果:瘢痕疙瘩成纤维细胞培养成功率43%(6/14),48～65天可传第一代,以后每5～10天可传一代,细胞为长梭形,波形蛋白表达阳性.结论:培养出的瘢痕疙瘩成纤维细胞可用作体外实验研究.     

广电宽带设备集中供电初探

结合有线电视集中供电特点，提出了一种解决广电宽带系统设备供电的新途径。     

ZnS:Er量子点材料制备及其受激发光特性研究

在水性介质中,制备了ZnS：Er量子点,并对其的X射线（XRF）谱、X射线衍射（XRD）谱、透射电子显微镜（TEM）图像和光致发光（PL）谱进行了研究,确定了所制备的ZnS：Er量子点材料中Er的浓度,观测到ZnS：Er量子点呈粒径为4nm的近球型结构。利用LD激发,在LD不同电流强度下得到ZnS：Er量子点从波长1500nm到1650nm的宽谱发射,并随着电流强度的增加ZnS：Er量子点的发射强度明显增加,当电流强度达到1．5A时,1545nm波长处的发射峰更明显。     

光纤光栅带宽可控调谐装置的研制

当光纤光栅粘贴于非均匀衬底材料中时,其反射谱带宽变化复杂。理论分析了在线性应变场作用下光纤光栅反射谱带宽线性展宽的原理,并利用自行提出的开口环机构及相关机械装置、驱动电路和控制软件,研制出一种新颖的光纤光栅带宽可控调谐装置。该装置测量精度高,实际带宽值与预设值的误差为±0.04 nm,带宽精确可控,最大调谐带宽值达6 nm。另外,该装置重复性好,操作简便,可应用于光纤通信及光纤传感领域。     

WLAN全球看涨,VoWLAN小荷初绽--WLAN/VoWLAN技术发展评析

WLAN自投入应用以来一直比较活跃,经过几年的发展,其产品市场已进入快速发展的阶段.WLAN技术的逐渐普及以及VoIP的迅速发展,使人们对将两者结合起来的VoWLAN技术投入了越来越多的关注,而将VoWLAN概念引入手机,并与蜂窝网络结合为用户提供无缝服务的移动VoIP更成为业界关注的焦点.     

压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。     

基于家庭网络的多网络业务融合

分析了基于家庭网络开展多网络业务融合的多种形式和优势，并对基于家庭网络的多网络业务融合的实现方式进行了探讨。     

基于变行频采样的红外图像重建技术研究

为了使一些单元或线列探测器获得的扫描数据含有相应的空间信息,进而提高获得红外热像的分辨率,提出了圆锥扫描机制下基于变行频采样机理的红外图像完整重建策略。结合圆锥扫描机制下变行频采样的运动特性、优点和采样机理,通过补场搜索重建了导弹架上捕获模式下的完整红外图像。利用空间基准参量,通过计算机仿真给出了变行频采样示意图和重建图像。仿真过程表明这种技术能够有效避免因导弹自旋造成的单场边缘行采样稀疏的缺点,而获得较高分辨率的红外图像。这种技术在投入相对较低的情况下,为目标检测和跟踪研究提供可靠的数据源,具有很好的应用前景。     

2.4GHz动态CMOS分频器的设计

对现阶段的主流高速CMOS分频器进行分析和比较,在此基础上设计一种采用TSPC(truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技术的前置双模分频器电路.该分频器大大提高了工作频率,采用0.6μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,在5V电源电压下,最高频率达到3GHz,功耗仅为8mW.