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Mariarosa Cavallo Erwan Bossavit Sylvia Matzen Thomas Maroutian Rodolphe Alchaar Tung Huu Dang Adrien Khalili Corentin Dabard Huichen Zhang Yoann Prado Claire Abadie James K Utterback Jean Francois Dayen Mathieu G. Silly Pavel Dudin Jose Avila Emmanuel Lhuillier Debora Pierucci 《Advanced functional materials》2023,33(34):2300846
The design of infrared nanocrystals-based (NCs) photodiodes faces a major challenge related to the identification of barriers with a well-suited band alignment or strategy to finely control the carrier density. Here, this study explores a general complementary approach where the carrier density control is achieved by coupling an NC layer to a ferroelectric material. The up-and-down change in ferroelectric polarization directly impacts the NC electronic structure, resulting in the formation of a lateral pn junction. This effect is uncovered directly using nano X-ray photoemission spectroscopy, which shows a relative energy shift of 115 meV of the NC photoemission signal over the two different up- and down-polarized ferroelectric regions, a shift as large as the open circuit value obtained in the diode stack. The performance of this pn junction reveals enhanced responsivity and reduced noise that lead to a factor 40 increase in the detectivity value. 相似文献