Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究

用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5 μm会发生周期性变化     

混合脱水系统爆炸的原因及预防措施

根据氯碱厂生产实际,详细分析了混合脱水系统爆炸的原因,并提出了预防措 施。     

对流扩散方程的离散技术及数值实验

本文研究了对流扩散方程的离散技术,并进行了大量数值实验。研究表明,scharfetter—Gummel的广义形式可以良好地消除内部的非物理振荡,且对边界层生成振荡的传播有抑制作用,但不能有效地消除边界层振荡。     

非掺杂InP的低温光致发光研究

研究了2K低温下非有意掺杂InP单晶的光致发光谱,对近带边的辐射跃迁进行了仔细分析,报道了InP单晶在大功率光激发时束缚于中性施主的激子跃迁发光相对减弱、而束缚于中性受主的激子跃迁发光相对增强的现象,并探讨了其机制,确认了材料中存在Mg、Zn等残余受主杂质,并计算得到Mg受主的离化能为41.5meV.     

稀土树脂相分光光度法研究

在HCl—KCl(pH0.5)介质中,稀土—三溴偶氮胂二元络合物能较好地被阴离子交换树脂吸附。RE_2O_8在0～8μg/25ml范围内符合比尔定律,以双波长等吸收点法(测量波长λ_1=650nm,参比波长λ_2=740nm)扣除树脂背景影响,应用于稀土矿中稀土总量测定,结果令人满意。     

一种高精度大位移电容式位移测量系统

介绍一种新型的电容式位移测量系统，其测量范围为０～２５ｍｍ，线性度优于１／１０００，分辨率为０．１μｍ。文中详细分析了该系统的工作原理，特点及主要误差因素，给出了部分实验数据。     

快速锁相频率合成器

介绍了锁相合成技术，对提高可编程分频器速度作了分析，估算了跳频时间，提出了进一步缩短跳频时间的措施。     

ISDN PBX及X.25网关的管理

本文介绍了ＩＳＤＮ用户一网络接口的管理模型，分析了ＰＢＸ、Ｘ．２５网关的管理功能，对协议测试，管理通信进行了研究并提出模型及实现原则。     

全双极WTA模型的改进及其实现

提出了一种相似度的新定义，使双极ＷＡＴ模型的实现更加简洁明了。增加一个阈值使系统能判别非存储模式或因其信息量过低而无法鉴定的输入模式，阈值的大小与要求的容错能力有关。双极相似度及阈值通过光学方法实现。阈值的光学实现使系统仍具有照明不变性。通过电路实现取及ＷＴＡ网络的迭代运算。