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61.
本文对动、静态下混凝土坍落度损失的规律进行了研究,并从流变学的角度分析了外加剂对动、静态下混凝土坍落度损失的影响坍落度损失存在差别的原因.  相似文献   
62.
63.
64.
提出了一种新的铝液夹杂物快速检测方法。导出了该法的检测原理方程。分析并试验研究了影响检测重复性和分辨率的因素。试验选择了较好的检测参数,并获得了较好的检测结果。  相似文献   
65.
对传统双曲线极尖的四极透镜进行了磁性能分析。在此基础上,提出了极尖断面为折线的四极透镜结构。磁场的数值分析以及测量结果表明:该结构产生的场梯度均匀,且具有磁场集中、磁场梯度高、便于加工和安装的对称性控制等优点。该结构的四极透镜已用于CYCIAE-30回旋加速器和HI-13串列加速器束流输运线之中  相似文献   
66.
TiNi shape memory alloys prepared by normal sintering   总被引:4,自引:0,他引:4  
This paper covers the use of conventional press and sinter of titanium and nickel equiatomic blends, involving transient liquid phases. A notable development has been the fabrication of homogeneous compacts from the elemental powders. Results indicate that employment of a double-stage sintering cycle is effective to sustain the geometrical integrity of the sintered sample. The TiNi alloy prepared in this manner exhibits a recovery strain of 4.6% by generating a restoring stress of 230 MPa, with a martensitic transformation point Ms of 34 °C.  相似文献   
67.
A model in which jointly optimal stocks of material and finished products are to be chosen is reexamined. While it costs less to hold material, a certain percentage of the random demand not immediately satisfied by previously finished products is lost. We pay particular attention to the dependence of the optimal stocks on the initial ones, which assumes an interesting form. For example, if the stock of finished products is high but the combined stock is low, die quantity of material ordered depends on the stock of finished products.  相似文献   
68.
2,3,4- or 2,3,5-trisubstituted furans were highly regioselectively formed from the cycloisomerization reaction of the same starting cyclopropenes 1 via the subtle choice of the transition metal halides. Under the catalysis of 5 mol % PdCl2(CH3CN)2, 2,3,5-trisubstituted furans 2 were given in 50-88% yields with 95-99% regioselectivities, while 2,3,4-trisubstituted furans 3 were formed in 78-96% yields with 99% regioselectivities under the catalysis of 5 mol % CuI.  相似文献   
69.
70.
Phase-change read-and-write memory (PRAM) is a promising memory that can solve the problems of conventional memory—scalability, read/write speed, and reliability. We will review the opportunities and technical challenges of PRAM. The most important challenge of PRAM is the reduction of the writing current. Various approaches to reduce the writing current will be reviewed and the prospects of PRAM are discussed.  相似文献   
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