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91.
文章针对一维长序DFT计算问题,分析其计算结构以及算法的并行性,提出一种阵列协处理结构.并分析这种协处理机结构上DFT计算的组织及具体实施算法步骤和方法,并对这种协处理阵列结构上运行的DFT进行复杂性分析。这对计算DFT专用集成协处理结构芯片开发,提高专用嵌套系统性能非常实用。 相似文献
92.
空时分组码技术结合信道编码、调制和天线分集技术,当发送天线一定时,他的解码复杂度正比于发送速率,在3G标准中,该技术有着重要的地位。对空时分组码及相关知识进行了介绍,并对可变速率的空时分组码设计进行了探讨,最后展望了空时分组码技术的应用前景。 相似文献
93.
94.
Stewart C. Kai Shen Dwarkadas S. Scott M.L. Jian Yin 《Distributed Systems Online, IEEE》2004,5(10):1-1
The growth of the Internet and of various intranets has spawned a wealth of online services, most of which are implemented on local-area clusters using remote invocation (for example, remote procedure call/remote method invocation) among manually placed application components. Component placement can be a significant challenge for large-scale services, particularly when application resource needs are workload dependent. Automatic component placement has the potential to maximize overall system throughput. The key idea is to construct (offline) a mapping between input workload and individual-component resource consumption. Such mappings, called component profiles, then support high-performance placement. Preliminary results on an online auction benchmark based on J2EE (Java 2 Platform, Enterprise Edition) suggest that profile-driven tools can identify placements that achieve near-optimal overall throughput. 相似文献
95.
96.
Ching-Te Chuang Bernstein K. Joshi R.V. Puri R. Kim K. Nowak E.J. Ludwig T. Aller I. 《Circuits and Devices Magazine, IEEE》2004,20(1):6-19
The generation-over-generation scaling of critical CMOS technology parameters is ultimately bound by nonscalable limitations, such as the thermal voltage and the elementary electronic charge. Sustained improvement in performance and density has required the introduction of new device structures and materials. Partially depleted SOI, a most recent MOSFET innovation, has extended VLSI performance while introducing unique idiosyncrasies. Fully depleted SOI is one logical extension of this device design direction. Gate dielectric tunneling, device self-heating, and single-event upsets present developers of these next-generation devices with new challenges. Strained silicon and high-permittivity gate dielectric are examples of new materials that will enable CMOS developers to continue to deliver device performance enhancements in the sub-100 nm regime. 相似文献
97.
随着集成电路规模的不断增大,电源网络的重要性日趋显著,电源网络的分布直接影响芯片的电压降(IR-drop)。一种布线后通过在空闲处插入电源桥和地桥的方法,可以在不增加芯片面积的情况下,改善IR-drop效应。实验结果表明在芯片布局利用率不高的情况下(70~75%),该方法可以使IR-drop得到明显的优化。 相似文献
98.
99.
Diese Recherche zeigt, dass sich die Bedeutung, die dem Thema RFID in den Medien und der ?ffentlichen Diskussion derzeit beigemessen
wird, auch in der Anzahl der im Internet zu findenden Seiten niederschl?gt. Dabei bewegt sich die Qualit?t der betrachteten
Angebote überwiegend auf einem hohen Niveau, was vor allem auf Seiten der kommerziellen Anbieter nicht weiter verwundert,
da es sich bei RFID doch um einen zunehmend st?rker umk?mpften Markt handelt, auf dem es hei?t, potenzielle Kunden für sich
zu akquirieren. Es darf mit Spannung erwartet werden, wie sich das Informationsangebot wandelt, wenn tats?chlich das prognostizierte
exponentielle Wachstum des RFID-Marktes eintritt. 相似文献