首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   349524篇
  免费   26018篇
  国内免费   12561篇
电工技术   19272篇
技术理论   56篇
综合类   20092篇
化学工业   64629篇
金属工艺   18793篇
机械仪表   21546篇
建筑科学   26358篇
矿业工程   11130篇
能源动力   9852篇
轻工业   20324篇
水利工程   5375篇
石油天然气   23041篇
武器工业   2600篇
无线电   36965篇
一般工业技术   42604篇
冶金工业   18520篇
原子能技术   3239篇
自动化技术   43707篇
  2024年   1306篇
  2023年   5795篇
  2022年   9161篇
  2021年   13172篇
  2020年   10445篇
  2019年   8546篇
  2018年   9711篇
  2017年   10732篇
  2016年   9861篇
  2015年   12959篇
  2014年   16641篇
  2013年   20517篇
  2012年   20672篇
  2011年   22829篇
  2010年   19929篇
  2009年   19207篇
  2008年   18368篇
  2007年   17759篇
  2006年   18545篇
  2005年   16388篇
  2004年   10555篇
  2003年   9328篇
  2002年   8236篇
  2001年   7581篇
  2000年   8065篇
  1999年   9741篇
  1998年   8328篇
  1997年   6897篇
  1996年   6555篇
  1995年   5516篇
  1994年   4532篇
  1993年   3304篇
  1992年   2644篇
  1991年   2082篇
  1990年   1654篇
  1989年   1403篇
  1988年   1153篇
  1987年   842篇
  1986年   717篇
  1985年   505篇
  1984年   408篇
  1983年   378篇
  1982年   351篇
  1981年   331篇
  1980年   295篇
  1979年   236篇
  1976年   204篇
  1975年   222篇
  1973年   376篇
  1972年   225篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 8 毫秒
181.
InAs channel field-effect transistors of 1-μm gate length were grown by molecular beam epitaxy and observed to operate at channel electric fields (20 kV/cm) higher than previously demonstrated and several times greater than the threshold for impact ionization in bulk InAs. Voltage gains on the order of 10 were observed with transconductances as high as 414 mS/mm and output conductances as low as 33 mS/mm. These voltage gains are comparable to those of GaAs-based devices and are the highest observed for InAs channel devices. The results demonstrate the potential for practical room-temperature operation of InAs FETs  相似文献   
182.
183.
184.
本文介绍一种宽带单向器的原理及设计。选用TGG作磁旋光介质,旋光石英晶片作补偿片,所设计的色散补偿型宽带单向器预计可在700~1000nm波长范围内实现环行激光腔中的单向行波运行;将其应用在可调谐环行Ti:Al2O3激光器中,获得了良好的实验结果。  相似文献   
185.
李勇  张小珍 《材料工程》1994,(12):30-32
本文研究了浸胶工艺对Nomex蜂窝性能的影响,分析探讨了提高Nomex蜂窝性能及外观质量的途径。研究结果表明:采取新的浸胶工艺制作的Nomex蜂窝,各项性能全面达到法国宇航材料标准。  相似文献   
186.
187.
We describe a novel "see-through" indium-tin-oxide contact on the n-side of a high power unstable resonator semiconductor laser (URSL) that allows direct observation of the cavity during high power operation. Under optimized annealing conditions this transparent ITO contact has a low enough specific contact resistivity to permit normal high power CW operation of the URSL and allows the observation of filamentation. This contact scheme is applicable to a wide range of semiconductor lasers and is especially appropriate for high power devices. The same structure can also be used to obtain a 2-D thermal map of the laser cavity.  相似文献   
188.
189.
190.
The Santa Amalia building in Barcelona is a block of six flats incorporating a duct by which ligth is sent to the kitchens - previously without natural ligthing- and also allows natural ventilation. Moreover, the passive solar gains obtained from the extensive glazed surfaces and the conservation of internal heat gains, along with a high degree of isulation, give energy saving of 68% for heating.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号