Rekristallisation von Eisen mit 6% Ni

Rekristallisation einer Eisenlegierung mit rd. 6% Ni bei Temperaturen zwischen 450 und 700°C nach Umwandlung in der Martensitstufe sowie Umwandlung in der Martensitstufe und 90% Kaltverformung. Verfolgung der Rekristallisation mit dem Mikroskop an korngremen- oder kornflächengeätzten Proben. Deutung der Temperaturabhängigkeit der Rekristallisation kaltverformter und nicht kaltverformter Proben.     

Einfluß der Strömung auf den Stoffübergang des festen Kohlenstoffs in Eisen-Kohlenstoff-Schmelzen

Untersuchung des Stoffübergangs von festem Kohlenstoff in eine flüssige Eisen-Kohlenstoff-Schmelze für laminare Strömungsverhaltnisse bei konzentrischer Anordnung eines rotierenden Kohlezylinders in der Schmelze. Angabe einer Beziehung zur Ermittlung des Stoffübergangskoeffizienten. Einfluß von Temperatur und unterschiedlichem Kohlematerial.     

Kinetische Untersuchungen zum Schwefelübergang zwischen kohlenstoffgesättigtem Eisen und CaO-SiO2-Na2O-Schlacken

Mechanismus und Kinetik des Schwefelüberganges vom Metall zur Schlacke. Messung der Schlackenviskosität während des Ablaufs der Entschwefelungsreaktion. Elektrochemische Untersuchungen der Vorgänge an der Phasengrenze. Deutung der Versuchsergebnisse durch elektrochemische Vorgänge zwischen Metall und Schlacke mit Differentialgleichungen.     

Die Phosphoraktivität im flüssigen Eisen und ihre Beeinflussung durch Nickel,Mangan und Chrom

Temperaturabhängigkeit des Gleichgewichtes von Phosphordampf mit flüssigem Eisen; Wirkungsparameter ?^P_P zwischen 1515 und 1650 °C; Beeinflussung der Phosphoraktivität im flüssigen Eisen durch Nickel, Mangan und Chrom; Phosphoraktivität im System Nickel-Phosphor. Phosphoraktivität im flüssigen an Kohlenstoff gesättigtem Eisen bei gleichzeitiger Anwesenheit von Silizium, Nickel, Mangan und Chrom.     

The design of technical artifacts with regard to work experience: The development of an experience-based documentation system for maintenance workers

The German discussion about experience-guided work has led to the question of how work experience can be regarded within the process of designing technical artifacts. This paper offers a solution for the area of skilled maintenance work. Some considerations about the nature of experience and about the problems skilled workers have in aquiring work competences within computer aided production environments are introduced in order to illustrate the design philosophy: A decision-support-system is described which stimulates workplace learning by enabling previous and present users of the system, including maintenance staff and shop floor workers, to exchange and build on experience.     

Zur Effektivität von Gradientenverfahren für Zuschnittprobleme

Zusammenfassung In dieser Arbeit werden diskrete Gradientenverfahren zur Lösung von ein-, zwei- und dreidimensionalen Zuschnittproblemen vorgeschlagen. Die Effektivität der Algorithmen wird an zwei Parametern gemessen: Arbeitsaufwand und Güte. Wir betrachten aus der Menge aller Lösungsalgorithmen für Zuschnittprobleme vernünftige Algorithmen und geben Güteabschätzungen für diese Klasse an. Eine Klasse eindimensionaler Zuschnittprobleme wird definiert, die zur Klasse P gehört.Unterstützt vom DAAD.     

Zur Querkraftgefährdung bestehender Spannbetonbrücken

Zur Formulierung einer Handlungsanweisung werden in Teil I die geänderten Lastannahmen für Brücken nach DIN Fachbericht 101 mit den Belastungsklassen nach alten Normen verglichen und gezeigt, wie anhand aktueller Verkehrszahlen die Lastansätze modifiziert werden können. Der aktuelle Brückenbestand in Hessen wird mit der Straßeninformationsbank (Teilprojekt Bauwerksdaten) ausgewertet, um Klassifizierungs‐ und Bewertungskriterien zu erarbeiten. Zur Beurteilung des Querkraftwiderstandes werden die Grundlagen der Querkraftbemessung nach DIN 1045, DIN 4227, DIN Fachbericht 102 und aus der Literatur gegenübergestellt. Shear‐Vulnerability of Existing Pre‐Stressed Concrete Bridges. Part One: Basics In Part I, to formulate an operation directive the revised load assumptions for bridges of DIN Technical Report 101 are compared with the loading classes according to old standards and it is demonstrated, how the loading models can be modified based on actual traffic data. The current bridge asset in the Federal State of Hesse is evaluated using the “Road Information Database (Sub‐Project: Structural Data)” in order to work out classification and evaluation criteria. Regarding the assessment of the shear load‐bearing capacity the fundamentals of the shear load design models of DIN 1045, DIN 4227, DIN TR 102 and from the literature are compared.     

Doping Molecular Monolayers: Effects on Electrical Transport Through Alkyl Chains on Silicon

n‐Si/C_nH_{2n + 1}/Hg junctions (n = 12, 14, 16 and 18) can be prepared with sufficient quality to assure that the transport characteristics are not anymore dominated by defects in the molecular monolayers. With such organic monolayers we can, using electron, UV and X‐ray irradiation, alter the charge transport through the molecular junctions on n‐ as well as on p‐type Si. Remarkably, the quality of the self‐assembled molecular monolayers following irradiation remains sufficiently high to provide the same very good protection of Si from oxidation in ambient atmosphere as provided by the pristine films. Combining spectroscopic (UV photoemission spectroscopy (UPS), X‐ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger, near edge‐X‐ray absorption fine structure (NEXAFS)) and electrical transport measurements, we show that irradiation induces defects in the alkyl films, most likely C?C bonds and C? C crosslinks, and that the density of defects can be controlled by irradiation dose. These altered intra‐ and intermolecular bonds introduce new electronic states in the highest occupied molecular orbital (HOMO)–lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) gap of the alkyl chains and, in the process, dope the organic film. We demonstrate an enhancement of 1–2 orders of magnitude in current. This change is clearly distinguishable from the previous observed difference between transport through high quality and defective monolayers. A detailed analysis of the electrical transport at different temperatures shows that the dopants modify the transport mechanism from tunnelling to hopping. This study suggests a way to extend significantly the use of monolayers in molecular electronics.