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51.
采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。 相似文献
52.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
53.
采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330~ 80 0nm范围反射率只有 1 5~ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关 相似文献
54.
加强交叉铺网机控制的探讨 总被引:5,自引:1,他引:4
介绍了比利时OCTIR公司LF36型交叉铺网机的基本原理,并总结了对其安装、调试及纤网控制的心得体会。 相似文献
55.
地应力对岩心渗透率伤害实验及机理分析 总被引:15,自引:4,他引:11
生产实际情况表明,有许多油气田对应力较为敏感。随着生产的进行,储集层压力下降,有效应力不断变化,引起油藏产能逐渐降低。为研究这一规律和变化规律,阐述了应用岩民测试有效应力对渗透率影响的实验原理,在对实验数据进行统计分析的基础上,拟合出有效应力与渗透经的函数关系(二次多项式)。应用毛细管渗流概念以有弹性厚壁筒厚理,研究了随着毛细管管壁内外压差变化时,毛细管内半径变化有其对毛细管渗流能力的影响,所得结论与实验结果一致。在实际生产中,应控制油藏压力快速大幅度下降,避免有效应力变化引起油藏渗流能力下降和减产。 相似文献
56.
橡胶卷材挤出连续硫化生产线的结构特色与工作原理 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了橡胶防水防腐卷材挤出连续硫化生产线的结构、特点和工作原理;指出在目前国内同类设备中,该生产设备具有先进性,并可替代引进设备。 相似文献
57.
大长径比自旋弹箭横向自振特性的有限元计算方法与结果分析 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究大长径比自旋弹箭在飞行时横向振动的自振特性。本文将转子动力学应用于弹道学 ,采用有限元法 ,建立自旋弹箭横向振动自振特性方程。同时给出了计算方法。利用该方程和该方法 ,开发了相应的计算程序。通过数值计算 ,可给出细长旋转弹箭飞行时的进动转速和临界转速 ,以及相应的位移和角度振型。利用该程序 ,进行了实例计算和分析。 相似文献
58.
59.
王芬 《武汉理工大学学报(材料科学英文版)》2005,20(Z1)
1Introduction Harmfulbacteriaexistanywhereintheworldsuchas soil,air,water,surfacesofobjectsandourskins,etc.Thenumberofbacteriumisenormous,withmanydiffer entspecies.Theyhavethreatenedthehealthofhuman beingsseriously.Withthedevelopmentofeconomyand environme… 相似文献
60.
Hong Wang Rong Zeng Xiuping Li 《Microwave Theory and Techniques》2005,53(2):564-570
In this paper, RF noise in 0.18-mum NMOSFETs concerning the contribution of carrier heating and hot carrier effect is characterized and analyzed in detail via a novel approach that modulates the channel carrier heating and number of hot carriers using body bias. We confirm qualitatively a negligible role of hot carrier effect on the channel noise in deep-submicrometer MOSFETs. For a device under reverse body bias (Vb), even though the increase in hot carrier population is clearly characterized by dc measurements, the device high-frequency noise is found to be irrelevant to the increase in the channel hot carriers. Experimental results show that the high-frequency noise is slightly reduced with the increase in |Vb|, and can be qualitatively explained by secondary effects such as the suppression of nonequilibrium channel noise and substrate induced noise. The reduction of NFmin and Rn with the increase in |Vb| may provide a possible methodology to finely adjust the device high-frequency noise performance for circuit design 相似文献