脉冲功率器件直流和动态热特性探测

介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题，应用红外热分析技术。对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布，峰值结温，热阻及其变化规律。     

薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术

叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础上，连续外延生长了作单模磁光波导的双层Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＣ薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步，恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用ＭＯＣＶＤ技术，在ＧＧＧ（钆镓石榴石）基片上同时外延生长Ⅲ－Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜，把光隔离器和磁光光源直接集成在一起，是一种非常有前景的光电子集成组件。     

电镀光亮锡铋合金工艺研究

用小槽试验与Hull槽试验，对合成出的若干种作为电镀Sn-Bi合金光亮剂的有机物进行了研究，讨论了在各种工艺条件下该光亮剂对合金镀层外观的影响以及工艺条件对镀层中铋含量的影响，并确定了最佳工艺。运用稳态极化曲线对光亮剂在镀液中的电化学行为进行了初步研究，还对合金镀层进行了SEM观察和分析。     

如何做好工程预结算审核工作

为有效地减少和避免工程结算纠纷 ,提高工作效率 ,对建设单位报送结算资料所应具备的审核条件作了介绍 ,提出了全面审核法等五种预结算工作的审核方法。     

制造业中、高级职业技术教育刍议

论述了制造业中、高级岗位职业技术教育的意义、现状、存在问题及其人才市场要求，探讨了办好制造业职业技术教育的几个关键问题。     

超声变幅杆解析法设计的可靠性研究

本文提出了用有限元法验证变幅杆解析法设计的可靠性，对三种类型的变幅杆先作解析法设计；然后利用有限元分析软件ANSYS进行模态分析，确定了变幅杆的固有频率，计算了固有频率与工作频率之间的相对误差，以此来评价解析法设计的可靠性；并分析了影响解析法设计可靠性的两个基本因素。     

2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级0.35μmCMOS限幅放大器

采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p，单端输出摆幅为400mVp-p，功耗250mW，含信号丢失检测功能，可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。     

复合微粒高性能混凝土的二级界面显微结构及耐久性研究

将天然纳米纤维材料及活性球形掺合料复合应用于高性能混凝土中,用以改善高性能混凝土的二级界面,探讨胶凝材料的颗粒紧密堆积及显微结构。对混凝土力学性能的研究表明:改善混凝土的二级界面,可以大幅度提高其抗弯强度和弹性模量;对耐久性的研究表明,由于加入了纳米纤维材料,改善了体系颗粒级配及二级界面显微结构,增加了体系密实度,是提高混凝土抗冻性、抗渗性的有效途径。因而,研究高性能混凝土的二级界面显微结构,对于提高高性能混凝土的宏观物理力学性能及耐久性存在巨大潜能。     

The Research of ST-OFDM in Physical Layer of IEEE 802.16a

This paper briefly introduces one of the three physical layer implementations of IEEE 802.16a~[1],WirelessMAN-OFDM PHY.Based on the implementation,the combination of Orthogonal Frequency Division Multiplexing(OFDM)and Space-Time Coding(STC)which is briefly called ST-OFDM in IEEE 802.16a,is investigated under thechannel provided in Ref.[2].Especially,this paper is focused on the influence of the optimal decision threshold on the sys-tern Bit-Error-Rate(BER)performance based on unequal probabilities of sources.The simulations show that when Signal-Noise-Ratio(SNR)is low the optimal decision threshold is obviously superior to the usual one;when SNR is high to someextent,such as 10 dB for 4QAM and 16 dB for 16QAM,we can use the usual decision threshold instead of the optimal     

10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片

基于0．18μm CMOS工艺设计的10Gb／s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。模拟结果表明，在1．8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb／s速率上，输入单端峰峰值为0．3V的差分信号时，在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1．4V，电路功耗约为85mW。