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Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
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研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。 相似文献
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本文概述INMARSAT 21世纪工程的规划及为实现这一规划,INMARSAT组织在本世纪末正在进行和即将进行的一系列卫星通信技术工作。着重阐述INMARSAT 21世纪工程的业务性能以及对三种卫星布局方案进行抉择的新动向。 相似文献
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G~2-连续的保凸插值三次Bezier样条曲线 总被引:1,自引:0,他引:1
方逵 《计算机辅助设计与图形学学报》1994,(4)
本文引入曲率参数,描述了分段三次Bezier插值样条曲线(开的和闭的)。这些插值曲线是G~2-连续的和保凸的,并且这些曲线可以作局部修改。最后,用本文的方法解决了一个实际问题。 相似文献
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Schottky diodes of aluminium/poly(3-octylthiophene)(P30T)/indium-tin oxide with large active area are prepared by using the proposed new casting technique. Their rectifying behavior and junction characteristics are dependent on whether the P30T is doped and on the storage time, but independent of the thickness of the P30T layer. The present technique can also be applied in a fabrication of electronic devices with other soluble conjugated polymers. 相似文献