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991.
应用sol-gel浸渍与热处理工艺相结合,在活性炭表面包覆Sb掺杂的SnO2薄膜对电极进行修饰,构成AC-SnO2/KOH/AC-SnO2双电层电容器,测试结果表明,400 mA/g电流密度条件下,修饰后的双电层电容器在0.001~1.5 V相对较高电压区间的放电容量,比AC/KOH/AC双电层电容器在0.001~1.0 V电压区间高36%,但AC-SnO2的单电极比电容仅为AC单电极比电容的91.9%;当电流密度大于400 mA/g,两种电极的大电流性能相当。 相似文献
992.
由于航天相机所使用的TDI-CCD(Time Delay and Integration Charge Coupled Devices)芯片价格昂贵而且极易损坏,提出了一种利用FPGA(Field Pmgrammable Gate Array)和多通道D/A转换器构成的宽频、高精度TDI-CCD信号发生器的原理方案和实现方法。通过对FPGA器件APA075和D/A转换器件DAC2900的配置,得到频率为11MHz的相关双采样形式的模拟TDI-CCD信号,同时通过改进PCB设计和滤波电路,提高了输出信号的精度,降低了噪声。本设计具有可编程、宽频、高精度和低硬件复杂度等特点,目前已成功应用到新一代高分辨率航天相机数据采集系统的研制中。 相似文献
993.
Anion Acceptors Dioxaborinane Contained in Solid State Polymer Electrolyte: Preparation,Characterization, and DFT Calculations 下载免费PDF全文
Ping Yuan Chuanlin Cai Jiayong Tang Yuqi Qin Mengyuan Jin Yanbao Fu Zhenhua Li Xiaohua Ma 《Advanced functional materials》2016,26(32):5930-5939
A novel dioxaborinane‐contained solid state polymer electrolyte poly((2‐phenyl‐1, 3, 2‐dioxaborolane‐4‐yl) methyl methacrylate) (P(GMMA‐PBA)) for symmetrical capacitors (SCs) is prepared through solution casting technique. Due to the effect of electron withdrawing of dioxaborinane groups and irregular distributed porous microstructures, the solid polymer electrolyte (SPE) exhibits an optimal ionic conductivity of 0.5 mS cm?1 at ambient conditions. The electronic properties of dioxaborinane groups and their interaction with anions of electrolyte salts are further studied with density functional theory calculations. SCs fabricated with this polymer film as electrolyte and reduced graphene oxide as electrodes provide a broad potential window of 2.5 V. The energy density of this capacitor ups to 22.49 Wh kg?1 with a power density of 6.34 kW kg?1 at 5 A g?1. After 3000 charge–discharge cycles, the capacitance of the symmetrical SPE capacitor maintains 90% of its initial values. 相似文献
994.
本文简要阐述了我省利用模拟微波通道进行数字化改造的试验过程。根据具体情况,提出不同的数字化改造方案选择。 相似文献
995.
Yong Zhong Xiong Geok-Ing Ng Hong Wang Fu J.S. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2001,48(10):2192-2197
DC and microwave noise transient behavior of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) with polyimide passivation is reported in this paper for the first time. The base transient current is believed to be due to the change of surface potential near the base-emitter junction perimeter at the polyimide/emitter interface resulting from a decrease in the amount of trapped electrons in the polyimide. We also find that the surface potential on the sidewall of collector-emitter affected by the charge trapping and detrapping in polyimide may induce a parasitic polyimide field effect transistor along the surface of the base-collector junction which results in an excess collector transient current. These base and collector current transients result in associated transient of broadband shot noise. The time dependence of microwave noise figures due to the excess transients is also investigated. The better understanding of the mechanisms of the noise transient behavior of the InP HBT device is very useful to improve the device and circuit reliability 相似文献
996.
给出了简化的软输出非相干最大后验概率算法和相应的迭代译码算法,仿真结果表明,该算法比传统的差分检测性能优越1.5dB。 相似文献
997.
998.
NonLocal Means (NLM),taking fully advantage of image redundancy,has been proved to be very effective in noise removal.However,high computational load limits its wide application.Based on Principle Comp... 相似文献
999.
1000.
SHI Meng WU Fu-quan WANG Hai-long HAO Dian-zhong 《光电子快报》2006,2(2):98-101
Thebeamsplitters(BS)havedemonstratedwideap plicationinmanyopticalsystemsandplayakeyrolein interferometryandholography[1].ThemechanismofBScanbedividedintotwocategories:oneutilizesthereflec tionandrefractionontheinterfacebetweentwodielec tricmedia;theotheru… 相似文献