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采用聚吡咯化学气相沉积法和聚吡咯化学液相沉积法制备聚吡咯导电织物,通过实验观察两种方法制备导电织物性能上的区别.研究氧化剂、掺杂剂对导电织物电学性能的影响.结果表明:氧化剂浓度越大,制备的导电织物导电性越好,当浓度增加到一定程度,织物表面比电阻值不随浓度的增加而变小.掺杂剂浓度的变化,对织物表面比电阻值大小影响不是很大.相比之下,采用化学气相法制备的导电织物,织物导电性好,而且纤维表面光滑、均匀,其受刺激的响应灵敏度较好. 相似文献
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Wei Hu Yaorui Hu Yao Pei Rongrong Li Fuyi Xu Xiaodong Chi Jia Mi Jonas Bergquist Lu Lu Luping Zhang Chunhua Yang 《International journal of molecular sciences》2023,24(1)
Cervical carcinoma (CC) is the second most prevalent gynecologic cancer in females across the world. To obtain a better understanding of the mechanisms underlying the development of CC, high-resolution label-free mass spectrometry was performed on CC and adjacent normal tissues from eight patients. A total of 2631 proteins were identified, and 46 significant differently expressed proteins (DEPs) were found between CC and normal tissues (p < 0.01, fold change >10 or <0.1). Ingenuity pathway analysis revealed that the majority of the proteins were involved in the regulation of eIF4 and p70S6K signaling and mTOR signaling. Among 46 DEPs, Integrinβ6 (ITGB6), PPP1CB, TMPO, PTGES3 (P23) and DTX3L were significantly upregulated, while Desmin (DES) was significantly downregulated in CC tissues compared with the adjacent normal tissues. In in vivo and in vitro experiments, DTX3L knockdown suppressed CC cell proliferation, migration, invasion and xenograft tumorigenesis, and enhanced cell apoptosis. Combination of silencing DTX3L and cisplatin treatment induced higher apoptosis percentage compared to cisplatin treatment alone. Moreover, DTX3L silencing inhibited the PI3K/AKT/mTOR signal pathway. Thus, our results suggested DTX3L could regulate CC progression through the PI3K/AKT/mTOR signal pathway and is potentially a novel biomarker and therapeutic target for CC. 相似文献
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针对自动导向车(AGV)的路径跟踪,提出一种新的模型参考-模糊变结构滑模-PI组合跟踪控制方案。该方案将AGV设计成左右轮行走距离跟踪系统,并引进参考模型,组合了模糊控制和变结构滑模控制以及比例加积分(PI)控制。模糊变结构滑模控制提供了跟踪的快速性和稳定性,PI控制则消除稳态抖动,提高了稳态精度。仿真及实测结果表明,这种新的设计方案能达到较高的跟踪精度。 相似文献
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烧结过程对氧化锌压敏陶瓷晶核形成和生长过程的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
粞文研究了烧结过程中升温速度及其温区对A,B两类ZnO压敏陶瓷材料的晶粒尺寸和击穿场强的影响规律,发现加快400-950℃段的升温速度,A类试样的晶料 寸增大,击穿场强E从60V/mm下降到15-30V/mm;B类试样的闰尺寸变小,E1mA从220V/m提高到290V/mm,要文从晶核形成速度和晶粒生长速度与温度关系出发,对实验结果进行了分析,讨论留念方体系决定晶核形成速度与温度的关系,在瓷料合适 相似文献